| GeSb2Te4相变薄膜表面形貌的分形特征 |
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| 引用本文： | 付永忠,丁建宁,杨继昌,解国新.GeSb2Te4相变薄膜表面形貌的分形特征[J].江苏大学学报(自然科学版),2006,27(5):430-433. |
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| 作者姓名： | 付永忠 丁建宁 杨继昌 解国新 |
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| 作者单位： | 江苏大学纳米技术研究中心,江苏镇江212013 |
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| 基金项目： | 全国优秀博士学位论文作者专项基金资助项目(200330) |
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| 摘 要： | 在Si（111）基底上用磁控溅射法以不同射频功率制备GeSb2Te4薄膜，利用高度相关函数法对薄膜的原子力显微镜图像进行分形计算，得到表面形貌的分形维．结果表明，分形维的大小与薄膜表面质量成正比，而表面粗糙度不能全面描述薄膜表面形貌；溅射功率对薄膜表面微观结构有直接影响，在一定范围内，增大溅射功率可以提高薄膜表面质量，但超过一定值后，又会降低薄膜表面质量．并指出利用分形维可以优化溅射工艺参数．
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| 关 键 词： | GeSb2Te4薄膜 分形 高度相关函数 溅射功率 |
Fractal characteristics of morphologies of GeSb_2 Te_4 phase-change films |
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| FU Yong-zhong,DING Jian-ning,YANG Ji-chang,XIE Guo-xin.Fractal characteristics of morphologies of GeSb_2 Te_4 phase-change films[J].Journal of Jiangsu University:Natural Science Edition,2006,27(5):430-433. |
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| Authors: | FU Yong-zhong DING Jian-ning YANG Ji-chang XIE Guo-xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GeSb2Te4films fractal height-height correlation function sputtering power |
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