稳定核~（193）Ir的高自旋态

利用非完全熔合反应192Os（7Li,α2n）布居了稳定核193Ir的高自旋态.基于标准在束γ谱学实验测量结果,扩展了193Ir核原有的能级纲图,并首次观测到了建立在πh11/2组态上的转动带能级结构.根据邻近奇A核已有的高自旋态核结构知识,通过系统学比较和分析,建议了193Ir核的3-准粒子组态.实验发现187-193Ir核πh11/2转动带的旋称劈裂随着中子数的增加而逐渐增大.利用Total-Routhian-Surface理论计算,可以定性地解释这种变化规律.     

双奇核~(128)Ⅰ的高自旋态

利用重离子熔合蒸发反应124Sn(7Li,3n)布居了双奇核128I的激发态.基于标准在束γ谱学实验测量结果,扩展并更新了128I原有能级纲图.根据已有的高自旋态核结构知识,通过系统学比较和分析,指出了基于π(g7/2/d5/2)vh11/2组态的负宇称能级结构和πh11/2πh11/2组态的正宇称能级结构.     

氧化石墨/聚吡咯复合材料的制备及其电化学性质

利用原位聚合制备了氧化石墨(graphite oxide, GO)/聚吡咯(polypyrrole, PPy)纳米复合材料(GPYs), 探讨了吡咯与GO的投料比对GPYs的结构以及电化学性能的影响. 利用傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)以及X-射线衍射(XRD)技术对复合材料的结构进行表征; 利用循环伏安、恒电流充放电以及电化学阻抗技术测试复合材料的电化学性能. 实验结果表明, 当吡咯加入量较多时(GPYs20 (吡咯/GO = 80:20)与GPYs50 (吡咯/GO = 50:50))会导致复合材料中PPy 和GO 层的团聚, 这会降低PPy 在GPYs20与GPYs50 中的比电容贡献值. 当吡咯与GO的投料比低至20:80 时, 复合材料中具有纳米纤维状形貌的PPy 均匀分散于脱落的GO 层表面/层内, 所得到GPYs80 的导电性得以提高. PPy在GPYs80 的比电容贡献值(383 F/g)比纯PPy (201 F/g)高, 表明GO和PPy 之间存在协同效应.     

173W的高自旋态和γ5/2~-[512]转动带的旋称反转

利用150Nd（28Si,5n）熔合蒸发反应居了173W的高旋态.于标准在束核谱学实验测量结果,扩展了于γ7/2＋[633],γ5/2-[512]和γ1/2-[521]准组态的转动带.首次建了173W γ1/2-[521]转动带的能量非优先分支.发现γ5/2-[512]转动带在低旋区出现旋称反转.相似的旋称劈行为表明174Reπ1/2-[541]γ5/2-[512]转动带的旋称反转来位于5/2-[512]轨道的中.旋称反转制有待进一研究.     

船舱内空气质量现状的思考

该文从提高船舱内空气质量的现实重要性出发,分析了影响舱室空气控制的三个方面因素和当前存在的问题,提出了优化温湿度系统、加强空气品质控制两个方面的构想和措施,为进一步改善船舱内空气质量提供了基本思路。     

稳定核^91Zr高自旋态实验研究

利用能量为44MeV的13C束流,通过重离子熔合蒸发反应82Se（13C,4n）91Zr布居了稳定核91Zr的高自旋态.基于γ-γ符合关系扩展了91Zr21/2＋同核异能态上的能级纲图,根据实验提取的γ跃迁的角分布系数对部分能级的自旋进行了指认.前人对21/2＋同核异能态下正负宇称能级已指认为质子在π（p1/2,g9/2）轨道的激发耦合价中子vd5/2;在π（f5/2,p3/2,p1/2,g9/2）和v（d5/2,s1/2,d3/2,g7/2,h11/2）空间内,经过系统性的分析和比较91Zr邻近核高自旋态能级结构,指出同核异能态上正宇称态激发机制依次为质子跨越38子壳π（f5/2,p3/2）→πp1/2激发和中子跨越50闭壳vg9/2→vd5/2激发,同核异能态上负宇称态可能涉及质子跨越38子壳π（f5/2,p3/2）→πg9/2激发与价中子vd5/2→vh11/2激发的竞争.