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在室温下采取恒塑性应变幅控制研究了单滑移取向[123]铜单晶体的循环形变过程.塑性应变幅为1×10-3.通过扫描电子显微镜-电子通道衬度(SEM-ECC)技术对同一试样在不同循环周次进行疲劳过程位错组态演化,以及驻留滑移带(PSB)的形成和它的表面形貌观察.对比了不同周次的位错组态,从而把疲劳过程的早期位错演化分为主滑移平面上的主刃型位错和基体位错墙间的螺型位错段起主要作用的两个阶段.同时也提出了一个关于PSB形成的可能机制:当基体位错墙的间距与墙的宽度都达到一临界值时,由于基体位错墙两边的螺型位错段对基体位错墙施加不平衡的作用力,当此力达到临界值时导致基体位错墙的连锁性破坏,从而形成驻留滑移线(PSL).随着循环周次的增加,与PSL相邻的螺型位错段继续作用而最终导致PSB的形成. 相似文献
2.
本文结合作者的一些工作,简要从宏观,亚微观,微观这三个层次上,概述了材料科学中三大主流计算机程序的发展及应用,并对今后发展趋势提出看法. 相似文献
3.
系统研究了循环变形铜单晶体中的宏观形变带的产生规律和特征以及相应的位错结构,并对其形成机制进行了综合探讨。结果表明,形变带的形成可能与循环加载中产生的晶体不可逆旋转和宏观应力状态密切相关。对于不同取向铜单晶体,形变带可能具有很不要同的位错结构。 相似文献
4.
用金相剖面法测定15M_nVNR及缝焊金属的断裂韧性,并与阻力曲法线的结果相比较,两者基本一致。 相似文献
5.
本文对A3R、16M_nR、15M_mVNR板材用J506焊条多道手工焊的接头断裂韧性作了对比,其中热影响区各部位断裂韧性是用金相剖面法所作。用电镜对15M_nVNR焊缝金属断口产生突进以及各接头熔合线韧性低的原因进行了分析。结果表明:三种接头以15M_nVNR的韧性最低,而每一种接头均以熔合线附近断裂韧性低。这主要是由于V、N掺入焊缝金属及焊条药皮中钛铁,铝铁与母材中V、N、C等产生第二相有关。 相似文献
6.
通过对五种压力容器用钢(A3R、16MnR、15MnVNR、BHW-35及14MnM_0V)的试验研究,比较了它们的抗脆断能力。 相似文献
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小口径穿甲试验靶板弹孔和残余弹体显微组织研究 总被引：8，自引：0，他引：8
根据小口径穿甲试验结果,从材料微观结构的变化和分析研究靶板的抗力、损伤机制和穿甲弹的侵彻消耗过程.利用扫描电镜和光学金相显微镜研究了45#钢靶板高速冲击穿孔的显微组织,从穿孔表面到靶板内部,可分为熔化快凝层、再结晶细晶层、形变层和正常基体组织.在细晶层和形变层中,铁素体晶粒的变形量要远远大于珠光体的变形量,部分珠光体开裂,其周围形成微裂纹或微孔洞.侵彻过程中残余弹体的显微结构变化和质量侵蚀消耗仅局限在头部3～4 mm的狭小区域内. 相似文献
8.
双晶体弹性应力场和主滑移系分解切应力的分析 总被引：3，自引：0，他引：3
用三维各向异性有限单元法对三种不同的铜双晶体中晶界附近的弹性应力场和各组元晶体中主滑移系上分解切应力进行了计算分析,并将计算结果与实验进行了比较·结果表明:同轴双晶体晶界附近的弹性应力场及主滑移系上的分解切应力是连续的,但只有晶界两边的组元晶体中的主滑移面构成交滑移面时,位错才可以通过交滑移从一个组元晶体的主滑移面运动到另一个组元晶体的主滑移面;非同轴双晶体晶界附近的弹性应力场及主滑移系上的分解切应力是不连续的· 相似文献
9.
研究了超高强度钢靶板在弹丸穿甲过程中绝热剪切带的特性与分布·结果表明:剪切带的出现,可以协调超高强度钢靶板弹孔附近材料在受冲击时的变形,避免材料在变形过程中因不协调而过早发生脆性开裂·绝热剪切带硬度很高,因此可以承受较高的断裂应力·由于剪切破坏往往吸收较多的弹丸冲击能量,因而可大大削弱弹丸进一步穿甲的能力·超高强度钢中绝热剪切带的出现对减弱弹丸在冲击过程中所造成的破坏并非一无是处· 相似文献
10.
利用扫描电镜电子通道衬度技术,对单滑移取向下,疲劳过程中Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察.观察表明,PSBs的形成可以分为4个阶段,即脉络、通路、萌芽、真正形成完整的PSB位错结构.对以上4个阶段中典型位错结构的演化进行了模拟,并利用三维离散位错静力学方法给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布,相应地,利用有限元方法计算了外应力场的分布.结果表明:在从基体脉络位错结构到PSBs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的.在通路和萌芽的尖端平均内应力没有太大的变化,而此处的平均外应力却比其他区域高,外应力提供了通路和萌芽长大的驱动力.在PSBs与基体边界处,内应力和外应力的值都急剧变化,因此存在切应变的不连续,积累到一定程度就会出现裂纹. 相似文献