功率VDMOS用硅外延材料的制备

介绍了一种实用的VDMOS器件用硅外延片生长技术,该技术使用PE-2061S外延设备,通过特有的工艺技术,在直径0.12m重掺锑（Sb）衬底上,完成了高阻厚层N型外延片的生长。外延层厚度大于74μm,电阻率大于27Ω.cm,其厚度、电阻率及结晶质量等参数都得到了很好的控制,其中部分技术参数达到了国际先进水平。结果表明,该外延材料完全满足VDMOS器件的制作需要。     

N型硅外延片表面状态对肖特基接触的影响

本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸111晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们研究了自然氧化、H2O2水浴、紫外照射三种氧化方法,处理硅外延片表面,形成10~15A的氧化层,并对比分析了三种氧化方法所形成的硅外延片表面状态,以及对电阻率测试结果的影响。通过实验对比,H2O2水浴方法,获得的硅外延片表面最为稳定,重复测试标准差±1%。     

多媒体技术在大学物理教学中的应用

结合教学实践 ,探讨大学物理教学中采用多媒体技术的必要性 ,分析媒体组合的选择及多媒体教学的优越性等 .     

铷原子中两个耦合参量四波混频过程的微扰法分析

利用微扰法分别分析了铷原子中两个参量四波混频过程．当这两个参量四波混频过程被一超短激光脉冲相干激发时，两个过程之间就存在相互耦合作用．微扰分析表明，量子拍存在于耦合的参量四波混频信号中，量子拍幅度的大小不但取决于超短脉冲的特性，而且依赖于两个耦合的参量四波混频过程中的相位匹配．     

沼气集中供气工程SCADA系统的研究

目前,沼气工程的规模越来越大,而自动控制系统的优劣直接影响着沼气的产量和质量。为了减少人工操作和操作误差,使控制更加准确,提高控制系统的自动化程度,设计采用PLC和组态软件相结合开发了SCADA系统。利用西门子S7-200 系列PLC对物料（主要猪粪和冲洗污水）从预处理单元一直到沼气产出阶段进行全程监控测量,当有报警或是故障产生时通过SCADA系统及时通知操作人员,尽快排除故障,使沼气工程的运行更加平稳、高效,并且大大提高了产气量。     

基于DriverNetworks的包截获解析

NDIS是一种网络协议规范,DriverNetworks是NuMega公司发布的开发NDIS网络驱动的工具包。本文介绍了NDIS的结构特点及Win2000环境下如何利用DriverNetworks开发工具包开发中间层程序,最后给出了基于DriverNetworks的NDIS中间层网络封包截获解析的实现。     

浊度法测定钛白粉的分散性

以自制硅酸溶胶为分散剂,用浊度值对钛白粉在水中的分散性进行定性表征,并通过调节浊液的酸碱度调整其浊度值以实现不同的分散性.结果表明,浊度值越大则分散性越好,浊液的浊度值随酸碱度发生变化,并会出现最大浊度值.以酒精作为溶剂时也得到了相似的结果.此测量方法简单易行、测试范围宽、精度高.并且处理后的钛白粉可做为高分子基体材料中的改性材料,对多功能高分子复合材料的防电磁辐射、抗静电、耐候性、颜色可调控具有一定的作用.     

地震立体观测技术研究

本课题的研究目标是,通过关键技术攻关,研制主动地震探测系统,具有抗干扰能力的井下综合观测系统和适用于地震短临跟踪的观测仪器系统,为地震研究和地震预测预报获取地球物理场、应力应变场、孕震区介质物性等动态变化信息,提高地震预测预警能力,特别是提高地震短临跟踪能力。     

桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究

随着硅外延片在器件制造领域应用的不断扩展,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是准确控制外延层电阻率及其均匀性。由于衬底自掺杂与系统杂质因素的影响,使得外延层电阻率的控制十分困难,同时电阻率均匀性也大大降低。通过对外延生长过程中外延层表面气体边界层的原理进行分析,提出了变流量吹扫工艺,减少边界层中杂质浓度,制备出电阻率均匀性好的外延片。     

基于渐近分析理论的多类传感器数据关联研究

本文采用层次型数据融合结构,研究了ＡＡＷ系统中多类传感器航迹相关问题。首先对目标航迹的真实跟踪概率（ＴＴＰ）进行了讨论,在ＭＯＤＥＬＡ和ＭＯＤＥＬＤ假设的基础上给出了ＴＴＰ的计算公式。提出利用渐近分析理论研究多类传感器相关参数及其在时间域上参数方程的航迹参数关联问题。在此基础上设计了多类传感器系统中上层处理节点航迹相关算法,为解决多类传感器航迹相关问题提供了一种新的解决途径。