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| 功率VDMOS用硅外延材料的制备 | |
| 引用本文： | 薛兵.功率VDMOS用硅外延材料的制备[J].甘肃科技,2011,27(6):9-10,75. |
| 作者姓名： | 薛兵 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
| 摘 要： | 介绍了一种实用的VDMOS器件用硅外延片生长技术,该技术使用PE-2061S外延设备,通过特有的工艺技术,在直径0.12m重掺锑（Sb）衬底上,完成了高阻厚层N型外延片的生长。外延层厚度大于74μm,电阻率大于27Ω.cm,其厚度、电阻率及结晶质量等参数都得到了很好的控制,其中部分技术参数达到了国际先进水平。结果表明,该外延材料完全满足VDMOS器件的制作需要。 |
| 关 键 词： | 半导体技术 VDMOS 自掺杂 过渡区 二步外延 |
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