排序方式: 共有9条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
MgAl2Sd,CaAl2S4,CO^2 MgAl2S4和Co^2 CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料,由化学输运反应的方法可以成功制备而得出,具有宽的能隙结构,因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注.采用Sugano-Tallabe强场近似理论,引入平均共价因子Ⅳ,利用经典晶场能量矩阵公式,在D2对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实,从而纠正了S.K.Oh等人对Co^2 :CaAl2S4吸收光谱的不合理解释。 相似文献
3.
随着微处理器设计技术的发展,基于硬件仿真加速器的系统验证已成为业内公认的最有效的系统验证方法,而系统仿真频率是硬件仿真加速器验证系统最重要的性能指标之一.本文以某款国产高性能通用微处理器FT-xx在ASIC仿真加速平台上的系统仿真加速为工程背景,通过调整编译选项、分析编译结果展开研究.首先分析了ASIC硬件仿真加速的加速原理,然后重点研究了逻辑资源数量、通用寄存器类型设计映射方式、特殊寄存器类型设计映射方式对系统仿真频率的影响.研究结果表明,当待验证设计的规模一定时,ASIC仿真器的逻辑资源并非越多越好、memorysize值的选取存在一个较佳范围、对于某些特殊的寄存器采用强制映射能极大地提高系统仿真频率. 相似文献
4.
电压反馈型半桥DC-DC(VCHB DC-DC)变换器组成的开关电源系统是强非线性系统,为揭示其系统稳定性与电路参数之间的内在关系,对VCHB DC-DC变换器进行了研究.结合其实际闭环控制逻辑,利用VCHB DC-DC变换器精确状态方程,建立VCHB DC-DC变换器仿真模型,采用频闪映射对其状态变量进行离散迭代映射,推导其统一的离散数学模型.对不同参数下VCHB DC-DC变换器非线性特性进行仿真和数值分析,并进行相应实验验证.研究结果表明,变压器变比、滤波电容、储能电感和误差比例系数的改变对VCHB DC-DC变换器稳定性影响大,而误差积分系数和负载的变化对其影响较弱.研究成果可为VCHB DC-DC变换器实际应用时的电路参数选取提供指导. 相似文献
5.
锆英石(ZrSiO4)的热膨胀系数和导热系数较低,抗震性能和化学稳定出色,近年来,逐渐受到人们的重视.通过引入平均因子和3d1电子在D2d晶场的g因子公式,研究了Ti^3 :ZrSiO4中Ti^3 中心EPRg因子,得到的结果与实验值基本稳合. 相似文献
6.
电学计量仪器与人们的日常生活、工作以及学习息息相关。为了保证电学计量器具量值传递的准确性和工作状态的稳定性,奋战在计量战线一线的电学检定人员不但要具备扎实的电学计量知识,还应该具有良好的思想道德修养。论述了电学计量检定人员应掌握的电学计量知识以及必须具备的道德素养。 相似文献
7.
8.
CsMnCl3·2H2O是典型的准一维反铁磁体.最近V V Eremenko测定了CsMnCl3·2H2OCu2+的吸收光谱,利用晶体场理论,结合晶体结构,分别计算晶体中Mn2+在Oh下和Cu2+在D2h下的能级,研究结果表明CsMnCl3·2H2OCu2+在28000,3000,32000吸收峰是来自Cu2+的d-d跃迁. 相似文献
9.
青海省土族中学生错颌畸形调查 总被引:1,自引:0,他引:1
目的了解青海省土族中学生错颌畸形的患病率、错颌类型构成比例.方法随机抽取青海省互助县土族中学生1139人进行临床检查,以安氏分类法进行分类,以个别正常颌为标准进行本项调查.结果青海省土族中学生错颌畸形患病率为85.86%,安氏Ⅰ类错颌患病率为61.02%,安氏Ⅱ类错颌患病率20.72%,安氏Ⅲ类错颌患病率4.13%.结论加强土族中学生口腔正畸知识的宣传普及工作,提高基层口腔医务人员的正畸专业理论知识和技术水平. 相似文献
1