SrTiO3:Ti3+晶体中朗德因子的研究

1引言 钛酸锶（SrTiO3）是一种重要的铁电晶体．它具有钙钛矿结构，在Tc=105K时有一个由立方到四角对称的结构相变．相变的结果使（Tio6）^9-八面体变为四角伸长的八面体（点群对称为D4h）．Ti^3＋离子在SrTiO3晶体中占据Ti^4＋离子位置．由于它所在的氧八面体为四角伸长，因此其基态为轨道双重态2^E，这个简并状态是不稳定的，会产生一个三角的Jahn—Teller畸变，使2^E态进一步劈裂成两个轨道单态．此时基态就为轨道单态，氧八面体也就变成斜方对称．电子顺磁共振（EPR）实验证实了这一点.     

Ti+19离子的能量和振子强度

用全实加关联方法计算类锂Ti^ 19离子1s^22p～1s^2nd(3≤n≤9)的跃迁能、振子强度和1s^2np与1s^2nd(n≤9)态的精细结构劈裂．得到的3种规范下振子强度的计算结果符合的很好，与已有的实验数据也相符合．确定了这2个Rydberg系列的量子数亏损．将上述分立态振子强度的计算结果与单通道量子亏损理论相结合，计算在电离阈附近(|E|≤I／2)束缚态一束缚态跃迁振子强度与束缚态-连续态跃迁的振子强度密度，实现了具有较大核电荷数的Ti^ 19离子量子跃迁特性的全能域理论预言．     

一类正负相间方幂和中因子3的指数(英文)

给出下面正负相间方幂和中因子 3的指数公式 : 2n - 1k =0 (- 1) k[x +dk]r,d =3s+1,d =3s+2 ,d =3s +3其中r ,n ,x是正整数 ,s是非负整数 ,n =3am ,3 m .     

(2md+1)-正则图中的2d-因子

设m，d都是正整数且m≥2，G是一个(2md 1)-正则图，证明了若G不含(2m-3)d 4条割边，则G有一个2d-因子，进而说明上述结果是最好的。     

溶胶-凝胶法制备硅酸锆粉体及其表征

通过溶胶-凝胶法制备ZrSiO4粉体,研究了煅烧温度、保温时间和催化剂(铁离子)对ZrSiO4合成率的影响;采用XRD、SEM、激光粒度仪等分析了ZrSiO4的晶相组成、结晶形貌以及产物粒径大小。实验结果表明:未添加催化剂时,ZrSiO4的合成温度高达1500℃;引入催化剂铁离子之后,在1200℃合成率可达到91.20%,合成温度降低了300℃,得到的粉体颗粒发育完善,结晶性好。烧结机理分析表明,Si4+的扩散是影响硅酸锆形成的主要因素;加入的铁以Fe3+的形式进入到ZrSiO4结构中,取代部分Si4+,产生空位,加速Si4+的扩散,从而有效地促进ZrSiO4的结晶,降低ZrSiO4的合成温度。     

在NH_4LiSO_4晶体中掺入Cr（3＋）的吸收光谱研究

采用半自洽场d轨道模型、点电荷模型, 引入收缩因子f, 用HCF程序计算了NH4LiSO4: Cr3+晶体的光谱, 对文[1]未能识别的低对称光谱进行了识别, 确定了NH4LiSO4: Cr3+ 晶体中原子团的局域结构.     

NH4ZnPO4: Mn2+晶体的g因子和零场分裂的理论研究

采用半自洽场3d轨道模型、点电荷模型和平均共价因子模型,计算了NH4ZnPO4：Mn^2＋晶体中Mn^2＋电子顺磁共振的g因子和零场分裂参量D、E．计算结果显示D、E的理论值和实验值（D=176×10^-4cm^-1、E=58×10^-4cm^-1）符合得很好,并分析指出了g因子的反常．     

钙钛矿型锂快离子导体的研究进展与展望

对近年来钙钛矿型锂快离子导体的研究进展进行了综述．其中理想的钙钛矿结构ABO3为一立方面心堆积．锂离子的迁移机理有两种——二维传导机理和三维传导机理．Li3xLa2／3-xTiO3具有高的离子导电率和高的选择性．钙钛矿型化合物中含Ti^4＋体系中的Ti^4＋易被还原成Ti^3＋，用Ta^5＋取代Ti^4＋可避免被还原．因此理想的钙钛矿室温下必须具有较高的离子导电率、好的相稳定性和化学稳定性．     

Ru3+离子在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构和自旋哈密顿参量研究

采用合适的模型和参量,用适于强场低自旋（S=1/2）d5组态的微扰公式计算了4d5离子Ru3+在Y3Al5O12晶体中的自旋哈密顿参量（g因子g∥, g⊥和超精细结构常数 A∥和A⊥）.通过计算,合理地解释了这些自旋哈密顿参量并获得了Ru3+杂质中心在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构.     

3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的吸收光谱和g因子

在晶体场理论基础上,推导出了3d9离子在压缩四角对称晶场中2B1g态混合进基态2A1g的EPR g因子的三阶微扰公式.用该公式研究了晶体3Cu(IO3)2·2H2O中Cu2+离子两种占位的EPRg因子,并分别计算了它们的电子吸收能级,理论研究合理地解释了实验结果.     

Cu0.5Zr2(PO4)3:Cu2+中心g因子研究

由于Cu0．5Zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性，对它的研究引起了广泛的关注．本文引入平均共价因子N，并结合晶体结构数据给出了3d^9离子在晶场D4h下的g因子公式，利用该公式并结合Cu0．5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0．5Zr2(PO4)3晶体中CU^2 中心的EPRg因子进行了理论分析计算，所得到的结果与实验值基本吻合．     

MPO4 (M=Sc, Lu, Y) :Ti3+ 自旋哈密顿参量的理论研究

利用高阶微扰方法和完全对角化方法分别计算了MPO4 (M=Sc, Lu, Y) ：Ti3+的自旋哈密顿参量（g 因子 g// , g和超精细结构常数A//, A),两种方法的计算结果非常接近,并且均和实验值吻合的很好,这表明这两种方法都是研究过渡金属离子自旋哈密顿参量的有效方法。另外,还对所研究的三种不同材料的共价性和芯极化常数性质进行了讨论。     

旋轨耦合作用对Ti3+:Al2O3能级分裂的贡献

运用晶体场理论对钛宝石能级分裂的精细结构进行了计算，结果说明，在不计Jahn-Teller效应的情况下，考虑晶场和自旋一轨道耦合的共同作用能很好的解释其基态能级分裂，解决了Macfarlane认为不能用晶体场理论进行计算的困难．理论数据与实验结果符合得很好．     

在绿柱石晶体中掺入Fe^3＋的吸收光谱研究

绿柱石是一种结构较复杂的硅酸盐矿物,其晶体结构中Al^3＋可以被Fe^2＋,Fe^3＋等取代,对这种晶体的吸收光谱的研究有助于认识绿柱石晶体的结构,从而更好的使这种晶体得到应用．本文引入平均共价因子Ⅳ,在立方晶场下考虑电子静电相互作用,通过完全对角化的方法对掺入Fe^3＋的绿柱石晶体的吸收光谱进行理论计算,并对实验结果中吸收峰进行了识别．结果表明,实验与理论符合的比较好．     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子研究

采用3d离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子（gx，gy，gz），其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu^（2＋）离子所处的局部结构确定。研究表明，晶体中Cu^（2＋）离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右，由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

Co2+: CaAl2S4吸收光谱的理论解释

MgAl2Sd，CaAl2S4，CO^2 MgAl2S4和Co^2 CaAl2S4晶体是典型的三重复合半导体材料，由化学输运反应的方法可以成功制备而得出，具有宽的能隙结构，因而在光电方面有着非常重要的应用而备受广泛的关注．采用Sugano-Tallabe强场近似理论，引入平均共价因子Ⅳ，利用经典晶场能量矩阵公式，在D2对称模型下计算出的结果较好符合了实验事实，从而纠正了S．K．Oh等人对Co^2 ：CaAl2S4吸收光谱的不合理解释。     

激光晶体Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4的生长和光谱性能研究

采用助熔剂法生长了优质透明的Tm3+/Yb3+:GdAl3(BO3)4晶体.在室温下测试了晶体的偏振吸收谱,对谱图中的7个吸收峰进行了能级归属,并计算了偏振吸收截面.实验表明,晶体能够采用两种商业化的InGaAs LD或GaAlAs LD进行泵浦.讨论了Yb离子敏化Tm离子过程中能量传递的方式,并展示了晶体在多波长激光方面潜在的应用前景.     

CaO-ZrO2-TiO2-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃陶瓷的制备及化学稳定性研究

玻璃陶瓷是固化处理中、高放废物和α废物较为理想的候选材料之一。研究了特定条件下制备的CaO-ZrO2-TiO2-Al2O3-B2O3-SiO2体系玻璃陶瓷在水淬和空气中自然冷却的两种冷却制度对其结晶行为和显微结构的影响,用粉末浸泡实验方法测试了其化学稳定性。结果表明:自然冷却形成的玻璃陶瓷晶相主要是ZrSiO4和ZrTiO4;在25～70℃范围内,温度对玻璃陶瓷浸出率无明显影响,90℃下浸出率比25℃,40℃,70℃的浸出率高一个数量级;7 d元素总的归一化浸出为1.87 g/m2。     

含ZrO2硅溶胶制备及烧成性能的研究

研究含ZrO2硅溶胶的制备工艺，胶凝条件，溶胶的热性能和烧成。通过X射线衍射分析证实，恰当地控制工艺条件可以使含ZrO2硅溶胶仅析出ZrO2晶体，而不析出SiO2晶体和ZrSiO4晶体。通过SEM观察分析，烧成工艺制度不仅决定那种晶体析出，而且对析出晶体的显效结构和晶体形貌影响很大。对使用含ZrO4硅溶胶增韧石英玻璃陶瓷有非常重要意义。     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu2+离子中心各向异性g因子研究

采用3d9离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2(PO4)3中Cu2+离子中心各向异性g因子(gx,gy,gz),其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu2+离子所处的局部结构确定。研究表明,晶体中Cu2+离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右,由此所得的因子计算结果与实验符合较好。