n-Ge在室温以上的反常磁致电阻效应

反常磁致电阻效应的研究,虽然已取得了不少成果。可是由于对它的理论解释,目前还存在很大的分岐,所以至今这方面的实验研究和理论研究还都正在进行之中。 到目前为止,已发现的反常磁致电阻效应,均出现在低温或超低温区,其表现主要为以下     

常温下n-Ge中的反常电导效应及其与反常霍耳、反常磁致电阻效应的关系

半导体反常电磁特性的研究,已有30多年的历史。但由于对其机理的探讨,目前分岐很大,所以至今这方面的实验研究和理论研究都还正在发展中。 目前,已发现的半导体反常电磁特性,均出现在低温和超低温区。因此,相应的许多理论也都以低温和超低温为前提条件。     

Y—Ba—Cu—O超导材料特性

一、前言于1987年7月21日,我们成功地研制出起始转交温度为226K、零电阻为192K 的 Y—Ba—Ou—O 高温超导材料。经反复做 Moissnr 效应实验明显,四引线直流法测试 R—T 曲线重复性好。     

聚并苯半导体材料的研制

自从发现聚乙炔膜经掺杂电导率大大提高后,人们对有机导体进行了广泛的研究。由于聚乙炔膜在空气中易氧化降解而限制了其实用性,所以人们都在努力探索新的在空气中稳定的有机导电材料的研制。本课题研制的聚并苯半导体材料是一种在空气中极其稳定的不经掺杂其电导率就很高很有实用价值的新材料。     

a-C:H:N薄膜结构和光学特性的研究

近年来,由于a-C:H薄膜所具有的类金刚石结构特征和广泛的应用前景,因而在固体物理和技术两方面成为研究的热点。人们已经研制了a-C:H薄膜做为有源层的光发射二极管,但这些器件的性能还不能满足实际应用的需要。其原因之一是对a-C:H材料还没有建立一个有效的掺杂过程。因此,目前许多人还在致力于对a-C:H薄膜掺氮的研究。研究结果表明,掺N能够显著地提高光致发光强度。这对提高以a-C:H薄膜为有源层的光电器件质量,改进发光性能是有益的。另一方面,掺氮将引起a-C:H薄膜微结构的改变。本文研究的目的在于探讨薄膜微观结构、发光中心和N原子作用三者之间的关系。因此,本文对掺N与未掺N的a-C:H样品进行了对比研究。通过红外、扫描差热和透射-反射光谱研究了其微观结构的变化。用光致发光光谱研究了氮与发光中心的关系,讨论了氮对a-C:H薄膜微观结构和发光中心的影响。     

受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性

近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这方面的研究仍在进行中. 自n-Ge常温反常Hall效应、反常磁致电阻效应圈和反常电导效应发现以来,人们     

n-Ge中的反常霍耳效应

反常霍耳效应的研究,虽然已经取得了不少成果,可是由于对它的理论解释目前还存在很大的分歧,所以至今这方面的实验研究和理论研究还都正在进行之中。 到目前为止,在各种半导体样品中,已被发现的全部反常霍耳效应,均出现在低温或超低     

高频冶炼法制作超导材料工艺

采用高频冶炼工艺,我们已经制造出零电阻温度为90K～192K 的 Y—Ba—Cu—O 高温超导材料,其中,零电阻温度为148K 和192K 各出现一炉。取起始转变温度电阻的10—90%为超导转变宽度,普遢小于1K。高频冶炼工艺周期短,冶炼时间为10小时,降温时间为3小时。