获得高耐压P—n结的有关工艺技术

从节省能源的意义出发,大功率硅整流元件和晶闸管的制造及应用在国民经济中占有不可低估的作用。元件的高压化、大电流化、快的开关速度化将成为今后大功率半导体器件的明确发展方向。在高耐压化、大电流化、快的开关速度化特性中,其中高耐压化受工艺技术难度的影响比较大。目前,就国际水平范围内,超4000伏耐压也还很不普遍。为了突破大功率半导体元件高耐压的问题,我们的实验室试做了3000—4000伏耐压的 p-n 结,并以此为基础,对有关工艺技术问题做些探讨。     

Y—Ba—Cu—O超导材料特性

一、前言于1987年7月21日,我们成功地研制出起始转交温度为226K、零电阻为192K 的 Y—Ba—Ou—O 高温超导材料。经反复做 Moissnr 效应实验明显,四引线直流法测试 R—T 曲线重复性好。     

铬铁合金超微粒子的气相制作及对红外紫外光的吸收

采用高真空充入惰性气体,变为低真空蒸发法获得的铬铁合金超微粒子,其粒子线度在10~(-7)～10~(-8)米。它是由几十——上万个原子组成的颗粒,由颗粒组成的粉呈黑色,无金属光泽。经测量发现,在红外一紫外光波段范围内,铬铁合金超微粒子粉吸收特性均很强,吸收率达98%以上。     

高频冶炼法制作超导材料工艺

采用高频冶炼工艺,我们已经制造出零电阻温度为90K～192K 的 Y—Ba—Cu—O 高温超导材料,其中,零电阻温度为148K 和192K 各出现一炉。取起始转变温度电阻的10—90%为超导转变宽度,普遢小于1K。高频冶炼工艺周期短,冶炼时间为10小时,降温时间为3小时。     

氮氢烘焙在3DG4生产中的运用

晶体管小电流下的放大系数的变小,与si—sio_2界面处的悬挂键有关。使氢原子扩入si—sio_2界面消除悬挂键,就可提高小电流下值,本文即着重叙述如何解决在3DG4生产中运用氮氢烘焙提高小电流下值的问题:验定烘焙温度、时间、氮氢流量,并把氮氢烘焙和烧结过程结合起来。