多孔硅微腔的窄峰发射

自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间分布可调、发射峰的宽度可变、自发辐射得到加强或抑制以及激射阈值较低甚至有可能实现激射无阈值等特点.Pavesi等人曾利用交替变化腐蚀电流密度的方法制备了多孔硅微腔.基于用分子束外延生长多层膜具有好的可控性和界面特性,我们采用MBE生长了掺杂浓度交替变化的     

电子束外延生长Er_2O_3单晶薄膜

使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10-6Torr的条件下首次实现了Er2O3单晶薄膜的生长。薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压。在较低的温度和较低的氧气压下在薄膜内容易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化。而且,生长在SiO2/Si衬底上的Er2O3单晶薄膜的结晶情况和表面粗糙度比生长在清洁的Si衬底上的薄膜要好很多。     

半导体量子点

随着对自组织半导体量子点生长机理的不断认识以及对量子点特性的不断了解,已经可以在一定程度上控制量子点的生长位置和其尺寸的均匀性,这使得基于单个量子点的元器件的制备和进一步的集成变得简单。     

电子束外延生长Er2O3单晶薄膜

使用电子束外延的方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃、7×10     

Er2O3薄膜的电学性质研究

Er2O3是一种很有希望的高κ材料。在氧气氛下热蒸发金属铒源，制备了Er2O3的薄膜，随后在氧气氛下对它进行了退火。通过对其C—V及I—V特性的测试，认为该材料的电学特性优秀，应该进行进一步的研究。     

新型小晶体全部弹性参数的光散射测量和计算

弹性是物质的一个主要性质,不论在科学技术研究方面,还是在材料应用方面都要知道材料的弹性,因而弹性的测量是物质的基本参数测量之一。