多孔硅微腔的窄峰发射

自从Canham发现多孔硅能高效率发射可见光以来,多孔硅的形成机理、发光机理、器件以及光电子集成研究都取得了很大进展.但到目前为止,多孔硅中是否存在激射现象还不很肯定.我们知道,微腔是实现激射的必要组成部分,它具有辐射功率的空间分布可调、发射峰的宽度可变、自发辐射得到加强或抑制以及激射阈值较低甚至有可能实现激射无阈值等特点.Pavesi等人曾利用交替变化腐蚀电流密度的方法制备了多孔硅微腔.基于用分子束外延生长多层膜具有好的可控性和界面特性,我们采用MBE生长了掺杂浓度交替变化的     

用UPS测量GaAs表面的能带弯曲和电子亲和势

根据Kraut等用XPS精确测定的GaAs中Ga3d芯能级到价带顶的能量差,在UPS实验中,由测定的Ga3d结合能数据,得出了清洁GaAs(111)的费米能级在表面处的位置,也即求得了表面的能带弯曲.再由UPS的二次电子阈值测定了功函数,从而求得GaAs的电子亲和势.对于用氩离子刻蚀并退火所获得的清洁GaAs(111)(2×2)富Ga表面,费米能级钉扎即已发生,其钉扎位置是在价带顶以上0.75eV附近,与Spicer等在GaAs(110)面上所观察到的受主型钉扎能级相符合.     

高分辨率电子能量损失谱在半导体表面研究中的应用

低能电子与半导体表面的相互作用能激发带间电子跃迁和（或）表面振动,因而对背散射电子能量分布的高分辨率测量可望给出与这些激发相关的丰富信息,近年来的实验研究证实,进行这样的电子能量损失测量确能从各种不同半导体得到的诸发禁带宽度,表面电子态的能量,表面光学声子的特性,表面原子的成键方式,表面反应的产物等许多有关表面原子和电子结构的重要参数。     

多孔硅反射镜基有机微腔器件的微结构和光电特性研究

从微结构和光电特性方面研究了一种新型硅基微腔的有机发光器件(SBM-OLEDs): 硅基多孔硅分布Bragg反射镜(PS-DBR)/SiO₂/ITO/有机多层膜/LiF/Al(1 nm)/Ag. 微腔器件的重要组成部分PS-DBR由低成本、高效率的电化学腐蚀方法制备. 场发射扫描电子显微图清晰显示: SBM-OLEDs具有纳米级层次结构和平整的界面. PS-DBR反射谱的阻止带宽160 nm, 且反射率达99%. SBM-OLEDs的反射谱中出现了标志此结构为微腔的共振腔膜. 在绿光和红光波段, 从SBM-OLEDs中都得到了改进的电致发光(EL)谱: 绿光(红光)EL谱的半高宽可由无微腔的83 nm (70 nm)窄化为有微腔时的8 nm (12 nm), 且为单峰发射, 微腔器件EL谱的色纯性有较大提高. 与非微腔器件相比, 发绿光和发红光的微腔在谐振波长处EL的强度分别增强了6倍和4倍. 对微腔器件的电流-亮度-电压(I-B-V)特性和影响器件寿命的因素也进行了讨论.