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1.
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/非磁金属隔离层/FeMn多层膜, 研究了交换耦合场Hex相对于非磁金属隔离层厚度的变化关系. 实验结果表明: 随非磁金属隔离层厚度的增加, 以Bi和Ag为隔离层的Hex薄膜急剧下降, 以Cu为隔离层的薄膜的Hex下降较缓慢. 对Cu而言, 它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同且晶格常数相近, Cu层以及FeMn层都可以相继外延生长, FeMn层的(111)织构不会受到破坏, 因此, Hex随Cu沉积厚度增加缓慢下降. 对Ag而言, 虽然它的晶体结构与NiFe层晶体结构相同, 但晶格常数相差较大, Ag层以及FeMn层都不可能外延生长, FeMn层的织构将会受到破坏, Hex随Ag沉积厚度增加迅速下降. 对Bi而言, 不仅它的晶体结构与NiFe层的不同, 而且晶格常数相差也较大, 同样, Bi层以及FeMn层也不可能外延生长, FeMn层的织构也会受到破坏, 因此, Hex也随Bi沉积厚度增加迅速下降. 但是, X射线光电子能谱研究表明: 极少量的表面活化原子Bi沉积在NiFe/FeMn界面时, 会上浮到FeMn层表面, 因而Hex下降很少.  相似文献   
2.
通过对儒家文化经典之作《论语》中"去兵,去食,留信仰之物"的解读,并结合学生社团管理的实际工作,从而清醒地、辩证地运用儒家文化的理论,阐述学生社团文化在学生社团管理中的重要性。  相似文献   
3.
通过文献资料法、理性分析与实践对此法、以及问卷调查法对“主动?探究?合作式”教学模式的教学策略进行了探讨和研究。提出采用集体教学、小组合作学习与个别辅导相结合的教学组织形式,引导学生主动参与、乐于探究、勤于动手,可以有效的提高教育教学效果。  相似文献   
4.
量子霍尔效应是一种可以在宏观尺度出现的量子现象,由二维电子系统在强磁场下所具有的独特拓扑性质所引起.长期以来人们一直希望能够实现不需外磁场的量子霍尔效应,以便将其应用于低能耗电学器件.磁性拓扑绝缘体薄膜可能具有的量子化的反常霍尔效应即是一种可以在零磁场下出现的量子霍尔效应.本文介绍了拓扑绝缘体和量子反常霍尔效应的概念发展及量子反常霍尔效应如何在磁性掺杂拓扑绝缘体中实验实现,并探讨了量子反常霍尔效应在低能耗器件方面的应用前景.  相似文献   
5.
量子反常霍尔效应是一种不需要外加磁场的量子霍尔效应.它不但为手征量子霍尔态的理解和应用提供了一个理想的研究平台,还可以用于构建多种新奇拓扑量子物态.本文回顾了近年来量子反常霍尔效应实验方面的研究进展,包括对磁性掺杂拓扑绝缘体中量子反常霍尔效应相关机理的深入研究、基于量子反常霍尔绝缘体的各种异质结构的制备及性质研究,以及可能具有更高工作温度的量子反常霍尔效应材料体系的探索等.这些研究进展对量子反常霍尔效应的未来发展方向和凝聚态物理的发展具有重要的启示作用.  相似文献   
6.
针对现有的采用拉式策略的算法在进行调度时数据块不能及时到达的情况,提出了一种自适应的数据调度算法。该算法可以根据节点间数据的传输速率以及P2P网络节点的动态性自动调整对数据服务节点的选择,并可以最小化在播放截止时间之前不能到达的数据块的数量。实验结果表明,新的算法可以一定程度缩短每个调度周期的数据到达延迟。  相似文献   
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