B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究

利用射频磁控溅射技术用N2和02作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的P型ZnO薄膜．Hall测量结果表明,室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2．3D．cm,1．2×10^17cm^-3,11cm^2／Vs．制备了ZnO基同质p-n结,研究了它们的I—V特性．探讨了B—N共掺的P型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制．同时阐明了B—N共掺的P型ZnO薄膜的导电机制．     

直流反应磁控溅射制备Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构和光学性能研究

利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移到33.38°,(002)方向的晶面间距从0.260 nm增加到0.268 nm,Zn1-xCdxO薄膜的光学带隙也从3.20 eV减小到2.70 eV,相应的近带边发光峰从393 nm红移到467 nm.另外,我们还从能带结构观点对Zn1-xCdxO薄膜的发光机理进行了研究.     

射频磁控溅射制备ZrN薄膜及其表征

本文利用射频磁控溅射在N2和Ar混合气氛环境下，在玻璃衬底上沉积ZrN薄膜．采用X射线衍射（XRD）、X射线散射能谱（EDX）和扫描电子显微镜（SEM）技术对薄膜微观结构、成分及形貌进行分析.结果表明，制备的ZrN薄膜是化学计量比接近于1的面心NaCl结构,从薄膜的表面形貌图可知，薄膜表面平整，缺陷很少，晶粒排列非常致密，且空位及表面缺陷很少．     

氮化锆的制备、表征和形成机制的研究

本文以固体h-BN作N源，利用机械球磨Zr和h-BN混合粉来制备Zr—N合金的方法，合成出单一相的γ-ZrNx合金．并采用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）技术对合金结构和成分进行分析．同时本文对形成γ-ZrNx的球磨机制进行了研究．     

直流反应磁控溅射制备Zn_(1-x)Cd_xO薄膜的结构和光学性能研究

利用直流反应磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积了(002)方向高度择优生长的纤锌矿结构的Zn1-xCdxO(x=0,0.2)合金薄膜.利用XRD、XPS、TEM、PL对薄膜的结构和光学性能进行了详细研究.结果表明,随着x=0到x=0.2,(002)衍射峰从34.36°偏移到33.38°,(002)方向的晶面间距从0.260 nm增加到0.268 nm,Zn1-xCdxO薄膜的光学带隙也从3.20 eV减小到2.70 eV,相应的近带边发光峰从393 nm红移到467 nm.另外,我们还从能带结构观点对Zn1-xCdxO薄膜的发光机理进行了研究.