不同介电系数下同轴线电场分布的计算方法

在线性各向同性电介质中,为了弄清高斯定理法和拉普拉斯方程法的差异,在深入分析拉普拉斯方程推导过程的基础上,采用2种解法对同轴线之间的电场分布进行了研究.结果表明,在均匀、线性、各向同性电介质中,系数e为常数,电位函数满足拉普拉斯方程;在非均匀、线性、各向同性电介质中,系数e为标量,电位函数满足修正的拉普拉斯方程,高斯定理法与修正的拉普拉斯方程法获得结果一致.在线性、各向同性电介质中e可能为常数或标量,建议将e称为介电系数.     

多晶硅凝固界面形态演化过程的相场法模拟分析

采用有限差分法求解小平面晶生长Wheeler相场模型,对多晶硅凝固界面形态演化过程进行相场模拟,详细分析了初始晶核条件、扰动强度和时间步长对界面形态演化的影响。结果表明:在多晶硅凝固过程中,九个晶核初始条件下,固液界面比较平坦,晶核生长空间差异小,易于形成垂直于生长界面的棱角胞晶组织。随着扰动强度的增加,棱角胞晶出现侧向分支,根部缩颈严重甚至出现熔断现象。选择强度为0.01的界面扰动,能够真实再现多晶硅凝固界面形态演化过程。在保证计算结果稳定性条件下,增加时间步长能够提高相场模拟计算效率。     

介电系数对平行板电容器电容的影响

电容器电容的计算是电磁理论的重要内容,是大学物理课程中的教学重点和难点.采用高斯定理法和修正拉普拉斯方程法对平行板电容器电容进行求解,给出C=ε_r((ε_0S)/d)的条件并计算了填充2种不同ε_r电介质后的电容.结果表明,在均匀、线性、各向同性电介质中,介电系数ε为常数,平行板电容器的电容满足C=ε_r((ε_0S)/d);在非均匀、线性、各向同性电介质中,介电系数ε_r(x)为标量函数,平行板电容器的电容C≠ε_r((ε_0S)/d).在平行板电容器中填充2种不同ε_r电介质后,总电容相当于2个电容器串联.     

原始组织对等通道角挤压纯铜组织性能的影响

分别对单晶和多晶原始纯铜进行等通道角挤压(ECAP)实验,研究Bc路径挤压后的组织特征和力学性能.结果表明,单晶和多晶铜在挤压过程中晶粒的细化方式明显不同:单晶铜在位错塞积后形成胞状结构,晶粒在位错塞积区发生断裂是其晶粒细化的主要原因;多晶铜在挤压中发生晶粒转动、晶界移动后造成晶粒被拉长并断裂,这是其晶粒细化的主要原因.力学性能对比发现,挤压中单晶铜的硬度和抗拉强度较多晶铜变化显著,认为挤压后单晶铜亚晶的定向排列是延伸率大幅度提高的主要原因.     

数字电路与逻辑设计基于慕课的翻转课堂教学模式研究

为了促进地方性应用型本科院校的发展,培养出具有创新能力和创新思维的应用型人才,结合数字电路与逻辑设计课程的教学情况及拟进行该课程MOOC建设的实际,基于MOOC对翻转课堂教学模式进行了探究.从课程设置、教学内容、教学形式、教学方法和课程建设思路等方面研究该课程教学模式,达到开拓学生创新性思维能力,提高学生创新能力的目的.     

ECAP条件下纯铜应变行为的等效应变规律及变形均匀性

借助DEFORM-3D软件对圆型纯铜试样的ECAP变形行为进行有限元模拟,分析试样沿A、Ba 、Bc及C路径各经9道次变形后的等效应变规律及变形均匀性.结果表明,试样沿Bc路径挤压后等效应变值最接近理论应变值,沿A路径挤压后等效应变值偏离理论应变值最大;试样沿Bc路径挤压变形均匀性最好,Ba路径次之,沿C路径挤压变形均匀性较差,A路径最差.