几种不同周期性单元的PBG天线的设计与仿真

提出了几种不同周期性单元的PBG结构的贴片天线.采用有限元法对其进行仿真分析,通过相互对比,研究出这几种不同PBG结构对贴片天线性能的影响.结果表明,在贴片天线中增加PBG结构能减少天线的回波损耗,提高天线的增益和辐射效率.并得出周期性单元的形状和数目对其特性的影响.     

Pt掺杂锐钛矿型TiO2电子结构和光学性质第一性原理研究

为了研究Pt掺杂对锐钛矿型TiO2电子结构和光学性质的影响,本文采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对未掺杂和Pt掺杂锐钛矿型TiO2的电子结构和光学性质做第一性原理计算。得到了掺杂前后的品格结构常数、结合能电子态密度分布、能带结构、介电函数虚部、光吸收系数等性质,定性地分析了掺杂前后能带结构和光学性质的变化。研究结果表明,Pt掺杂锐钛矿型TiO2带隙中能产生新的能带,而且能带位置明显下移,掺杂后不但能使TiO2的吸收带产生红移,而且在可见光区具有较大的吸收系数,表现出较高的光催化活性,理论与实验基本吻合。     

硅场发射的WKB法和转移矩阵法比较

硅作为场发射阴极成为可能，硅的场发射研究又重新引起人们的重视．该文将半导体表面的能带弯曲视为一势阱，从而建立了表面势阱作用下硅场致发射的基本方程．并分别应用WKB法和转移矩阵法，求出了垂直于界面的量子能级，并计算了场发射电流．最后对两种方法的结果进行了比较，发现转移矩阵法的结果比WKB近似法更加接近于FN理论的结果，该方法可为复杂势场中的量子化效应及电子特性提供一个有效的分析方法．     

变迹啁啾Bragg光纤光栅的响应特性数值计算

该文对各种变迹与线性啁啾Ｂｒａｇｇ光纤光栅的响应特性进行了数值计算。分析了变迹函数、啁啾系数、折射率变化量以及光栅长度对反射带宽、最大反射率的影响。特例中给出了长度为１４０ｍｍ,啁啾系数为０．０４８ｎｍ／ｃｍ的各种变迹与线性啁啾Ｂｒａｇｇ光纤光栅的响应特性数值计算结果。     

介观含源RLC并联电路的量子涨落

由于耗散的存在，介观RLC并联电路中的磁通量和电荷不是一对线性厄米算符，因此，构造了一对正则变量，并用该对正则变量作为算符实现了介观RLC并联电路的量子化，在外源作用下，介观RLC并联电路系统由初始本征态将演化到平称Fock态，在平移Fock态中，计算了磁通量和电荷的量子涨落。     

变迹啁啾Bragg光纤光栅色散补偿特性的数值研究

对各种变迹与线性啁啾Bragg光纤光栅的色散特性作了数值分析,构造了各种变迹函数,进行了比较研究了变迹函数,啁啾函数,折射率变化量以及光栅长度对色散补偿带宽,时延特性以及色散补偿量的影响。     

基于三方秘密共享4粒子团簇态实现三比特量子态的可控隐形传态

提出了三比特未知量子态的可控隐形传态方案,利用2个三方共享的4粒子团簇态作为量子信道,由第三方进行控制.首先,发送者(Alice)对其拥有的3个粒子对进行3次 Bell 基联合测量,并把结果通过经典信道告诉接收者(Bob)和控制者(Charlie).若控制者同意接收者重建未知量子态,则对自己的粒子对进行 Bell基测量,并将结果通知接收者.接收者根据发送者和控制者的测量结果,对自己拥有的粒子对做相应的幺正变换,就可以重建发送者要传的三比特未知的量子态,从而实现可控隐形传态     

铝掺杂氧化锌薄膜电学特性的研究

利用脉冲激光沉积法,在氧气氛下(氧分压为20 Pa)以硅为基体制备了ZnO:Al透明导电膜.靶材选用(ZnO)1-x(Al2O3)x陶瓷靶,沉积过程中基体温度保持在600℃.通过对膜进行霍尔效应测量及SEM、XRD测试分析,研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的电学特性的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学性能和膜的结晶状况.掺杂铝的质量分数为1.37%时所获得的ZnO薄膜具有最小的电阻率.     

空心光纤中LP01模的场分布和消失波场特性分析

用弱导光纤近似，分析限空心光纤的场分布和消失波场特性，得出了色散方程并进行了数值计算，结果显示，在空心光纤里，空心区域的消失波场只限制在离纤芯内壁大约０．７λ厚的一层区域内，其场强的最大值仅为芯层中导波场最大值的１０％左右，保持空心光纤的其他参数不变，只改变纤芯层与包层之间的相对折射率差，不会引起区域内消失波场２的改变只会导致光纤包场分布的改变。     

脉冲激光沉积系统(PLD)的应用

该文重点介绍了作者实验室的PLD系统，并介绍一个实例：在不锈钢衬底上镀LiMn2O4薄膜。