垂直喷淋式MOCVD反应器中射流影响的研究

针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温度场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.通过模拟发现:(1)在喷口下方的反应腔空间,射流速度、温度和浓度均存在周期性波动,此波动由衬底中心到衬底边缘逐渐衰减;(2)衬底中心处的垂直射流速度大于周边的速度,中心浓度高于边缘浓度,中心温度低于边缘温度;(3)增加反应腔高度,减小喷口间距,减小喷口速度、增加衬底转速,均有利于衬底上方轴向速度和反应前体浓度沿径向分布的平缓.     

制备不对称有机合成催化剂配体的金属有机化合物

以实例介绍了金属镁和锂有机化合物在制备不对称有机合成催化剂配体的一般方法和应用.说明了这两类金属有机化合物发生反应的化学基础是碳负离子反应,并且金属离子发生金属化反应是取代有机化合物中的活泼氢原子,由此性质提出了在制备这类化合物时需要的特殊条件,希望能在制备不对称有机化学反应催化剂时作为一种可以考虑的方法.     

化学法制备ClO2的几种化学法比较

ClO2是一种新型强氧化剂，以其高效广谱的杀茵和漂白能力日益受到人们的关注，用其替代液氯消毒己成为一种必然趋势，简介了目前以氯酸盐、亚氯酸盐为主要原料制备ClO2的各种方法并比较其优缺点。     

浅谈离子交换法

离子交换法是利用离子交换剂与溶液中的离子之间所发生的交换反应来进行分离的方法,本简述了离子交换树脂的结构,分类以及交换容量的测定方法。     

MOCVD生长AlGaAs-GaAs DBR及其特性

本文报导了任意铝组分的AlGaAs材料的MOCVD外延生长和控制,解决了MOCVD生长高铝组分AIGaAs这一难题。国内首次运用MOCVD技术生长出高反射率的适合于垂直腔面发射激光器的AlGaAs-GaAs四分之一波长的分布布拉格反射镜(DBR)结构。用高分辨透射电镜观察得出,该DBR有良好的周期性、厚度均匀和界面平直。测得其反射率为94％,响应波长为820nm-868nm。     

键裂能的计算

我们在归纳实验数据的基础上提出下列计算键裂能的经验公式,它适用于无机和有机化合物中各种类型的键(包括共价键、离子键、金属键):     

应用Mg离子注入获得高表面空穴载流子浓度P-型GaN

应用Mg离子注入MOCVD法生长掺杂Mg的GaN中,在经过800℃, 1h的退火后,获得高空穴载流子浓度(8.28×10¹⁷cm^-3)的P-型GaN。首次报道了实验上通过Mg离子注入到Mg生长掺杂的GaN中并获得高的表面空穴载流子浓度。     

应用激光椭圆仪测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层的组份及其表面天然氧化膜的厚度

我们应用DJS-130电子计算机及其控制的绘图仪,在光波长λ_0=6328、入射角φ_0=70°的参数下,计算并绘制了适用于不同x值的Ga_(1-x)Al_xAs外延层及其表面天然氧化膜折射率的椭偏列线图。通过对图的分析,得到了椭偏参量(ψ、⊿)对体系光学参量的响应情况。在此基础上,确认了应用激光椭圆仪测定Ga_(1-x)Al_xAs外延层组份x值的方法简便。x值的测定范围为x≤0.55,不确定性⊿x≤±0.02,     

固体稳定性二氧化氯制备方法的探究

在比较当前对固体稳定性二氧化氯制备方法的基础上,提出一种新型制备方法,即吸收后呈胶状稳定性二氧化氯,最后烘干制得。讨论了制备条件,并用碘量法对其稳定性进行了测试。