硒铟镓银多晶材料的合成研究

根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出AgGa1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的AgGa1-xInxSe多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的AgGa1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的AgGa1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的AgGa1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量AgGa1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.     

ZnGeP2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析

两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通过对合成设备、安瓿尺寸和工艺的改进,采用机械振荡炉体和竖直梯度降温相结合的新工艺,成功地合成出ZnGeP2多晶材料.合成的ZnGeP2多晶,经XRD分析测试,并采用Rietveld法进行全谱拟合精修、计算出各物相的相对含量.结果表明,改进工艺合成的ZnGeP2多晶是高纯单相材料,可用于单晶生长.采用改进工艺合成的ZnGeP2多晶为原料,生长出完整性好的ZnGeP2单晶体,在2.5～8.2μm范围的透过率达60%左右,光学质量较高.     

碲锌镉晶体的In、Cd双源气氛退火研究

采用改进的垂直Bridgman法生长出尺寸为Φ20 mm×40 mm、外观完整无裂纹的Cd0.9Zn0.1Te(CZT)单晶体.沿晶体解理面切割晶片,在In、Cd气氛下进行退火热处理,经973K退火140 h后,采用能量色散谱仪(EDS)、ZC36型高阻仪和傅里叶红外分光光度计等研究了退火对晶片的成分、电学、光学性能的...     

五类线、水晶头相关问题浅析

五类线、水晶头的简单识别方法；五类线在施工中的注意事项；水晶头的施工方法；竣工测试的问题与五类线、水晶头的关系；网络中双绞线接线方法和策略。     

CdGeAs2多晶合成与单晶生长研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs2多晶．用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃．根据DTA分析结果设计CdGeAs2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为Φ15mm×45mm的CdGeAs2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现{101}面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好．     

三种荒漠植物幼苗对NaCl胁迫的叶绿素荧光响应

了解极干旱区沙漠过渡带植物的耐盐能力有利于揭示其耐盐机制,保护和利用这些植物。叶绿素荧光技术被使用,以研究NaCl胁迫对温室培养的三种植物骆驼刺(Alhagi sparsifolia)、罗布麻(Apocynum venetum)和盐穗木(Halostachys caspica)幼苗叶片光系统II的影响,NaCl胁迫导致骆驼刺和罗布麻叶片PSII最大量子产量(Fv/Fm)下降,但是引起下降的原因不同——骆驼刺的Fm不变而Fo增加,而罗布麻则是增加初始荧光Fo同时降低最大荧光Fm,盐胁迫对盐穗木影响不大。盐胁迫也诱导了三种植物光适应能力的降低,其中以骆驼刺和罗布麻下降明显。三种植物对NaCl胁迫的忍耐能力排序为盐穗木>骆驼刺>罗布麻。     

CdGeAs2多晶合成研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为φ15 mm×45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现(101)面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.