时间反演的经典物理图像

文[1]根据定义给出了时间反演变换T的时空几何图像。本文讨论经典物理在T下的变换性质。质点(系)的世界线(图)给出其经典物理学的全部信息。为了简单而不失一般性,首先讨论质点世界线上任一点a的速度V在T下的变换性质(图1)。根据V≡(dx(t)/dt)的定义,     

引力场的负能量特性——一种全新宇宙观

通过对引力场的深入研究，用现有引力场理论的各种合理结果，严格证明了定理：“引力场（波）能量是负能量”。自然地解释了光谱线宇宙引力红移的观测结果。合理地给出了一个真实的宇宙。     

3D打印技术与社会制造

目的 综述3D打印技术的基本概念、发展简史、打印过程原理、应用领域、广泛影响以及面临的问题等.方法 以发展史为基础,利用历史的、分析与综合的方法进行了论述.结果 在3D打印技术得到广泛应用的情况下,制造业也许不再运用工厂这种将人力、资金、设备等生产要素大规模集中化的生产方式,而是转变为一种以3D打印机为基础、更加灵活、所需投入更少的生产方式.《经济学人》将这种趋势称之为“社会制造”,并认为这种新型的生产方式,有望促成第三次工业革命.结论 指出3D打印技术作为第三次工业革命的重要标志之一,已引发了世人对3D打印的强烈关注.3D打印技术必将改变人类未来的生产与生活方式.3D打印技术必将创造一个崭新的世界.     

能量转换与守恒定律的发现

目的揭示能量转换与守恒定律发现的过程。方法采用历史的、分析的、逻辑的科学方法。结果能量转换与守恒定律的发现过程曲折而艰辛,涉及到德国的迈尔、英国的焦耳、德国的亥姆霍兹等科学家开创性的研究工作。结论指出了能量转换与守恒定律的重要性：了解能量守恒定律发现的历史过程,对于理解自然科学发展中理论的形成是有益的。强调了对于能量守恒定律还需要更进一步深入的认识和研究。     

时间反演的时空几何

时间具有顺序性、连续性和均匀性(按简单性原理),因而具有实数性,并能用一实轴(如4维时空)或曲线实参数化(如运动轨迹)表示,但至今还没有人能给出时间的定义。我们避开     

引力的Weyl-U(1)规范场理论及其宇宙

通过分析认为广义相对论不能自然地给出引力场(作为物质)的能量、动量这些重要的物理量。广义相对论体系是欠定问题,在自系统无定解。它和其他相互作用的理论形式较独立,有碍四种相互作用的统一。为了克服这些困难,本文提出了引力的Weyl-U(1)规范场理论。在相同近似下给出的结果和广义相对论一致,而表达方式更简明。文中得到一个宇宙模型,对时空有一些新观点。还提出了本理论对自然界一些解释不了的神秘现象的可能应用。     

关于函数Li(x)=∫x0 dt/lnt,x∈[1,990 000]的数值表

目的 在数理科学的一些领域,常用到函数Li(x)的数值,如在数论中,素数在实数中的分布就与此函数值有关,但此函数的计算性质非常复杂,很难进行实际运算,而且在文献中尚未给出此函数的数值表.为了使用方便,计算此函数对x∈[1,990 000]的数值, 给出其对数积分函数的数值表便是本文的目的 所在.方法 按照Gregory数值积分公式,在梯形规则近似下的累加方法进行研究.结果 由于x在[1,990 000]区间取值所得Li(x)的函数值非常庞大,不可能全部列出,仅给出Li(x)函数值的5个简表(x=j·10k×i·10k-1,k=1,2,3,4,5).结论 计算误差约小于0.01,表1中x∈[1,99],表2中x∈[100,990],表3中x∈[1 000,9 900],表4中x∈[10 000,99 000]以及表5中x∈[100 000,990 000].     

再论不破坏中子活化分析中的若干问题

文献[1]已初步讨论了不破坏中子活化分析中的若干问题,但仍有言犹未尽之处,有必要作进一步的研究。一、重峰与本身的干扰问题[1]中提到实验测定了40种元素经中子照射后各自产生的放射性核素(包括其子体)所发射的诸γ在一定测量条件下的光峰的相对计数率,并将其除以相应的发射率以得出这些γ的相对探测效率,经归一化后得出相对探测效率(对数值)对γ能量(对数值)的关系曲线;以此还计算了由其他12种元素的(n,γ)反应所各自产生的放射性核素(包括其子体)的诸γ的相对计数率。对~(235)U 和~(232)Th 的裂片也作了相应的处理。     

放射性衰变曲线的分析(Ⅲ)——~(46)Cu半衰期的准确测定

本文采用“λ法”分析了~(64)Cu 的衰变曲线,得出~(64)Cu 的半衰期为12.699±0.003小时.     

用正电子湮没研究中子辐照Si

硅在能源技术应用中是很重要的材料,随着离子注入技术发展和对掺杂兴趣增加,了解由于粒子辐射而造成辐射损伤引起的空位与退火温度关系是非常重要的.在研究半导体缺陷中,正电子湮没方法是非常有用的方法,因为捕获正电子湮没的特性是受缺陷电荷影响,研究结果表明在半导体中,正电子能被辐射损伤缺陷所捕获.本工作是用正电子湮没寿命来研究经过中子辐照后的单晶硅,未退火及在400～1150℃范围内退火的空位变化情况,讨论了捕获模型.1 实验