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1.
论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理,讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中,膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜,电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ,可见光范围内平均透过率高于９０％． 相似文献
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pn结太阳电池饱和电流密度的理论研究 总被引：2，自引：0，他引：2
为提高太阳电池的开路电压Vac和效率η,必须减小饱和电流Jo,据此,对影响Jo的各种因素进行了研究,推导了更为普遍的有限尺寸条件下太阳电池的表面复合速度和少子加速场对Jo影响的表达式,并且对两者的影响进行了数值模拟,直观地得出了以下结论：在保证消除重掺杂效应带来不良影响的条件下,增大发射区少子漂移场强,可减小,Jo,提高电池Vco;减少电池的表面复合速度,能提高电池的性能。 相似文献
3.
本文根据研制成的两种新型高效率硅太阳电池——MINP和PESC电池,重点分析其特点及取得较高光电转换效率之机理。 相似文献
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由于硅单晶质量的提高及背表面场和减反射膜技术的应用,电池的短路电流已接近理论极限值,因此其性能的改进就取决于发射区的优化.本文论述了一种改进的扩散工艺——二次扩散工艺.其主要特点是提高氧化温度,利用氧化过程的高温改善发射区杂质分布,从而减少“死层”的影响.文中分析并计算了二次扩散(氧化)后的杂质分布和结深的变化,并讨论了二次扩散对发射区少于复合的影响及工艺条件对发射区各参数的影响. 相似文献
5.
本文考虑在单谷能带半导体中,均恒电场对载流子分布函数的影响,采用平均自由程与载流子能量分布为玻耳兹曼分布的假设,在此基础上作相应的非简并态的经典统计,得到任意场强下漂移速度的极为简洁的_d(ε)表达式.该表达式对应的_d(ε)曲线与已知的精密测量的实验曲线吻合良好. 相似文献
6.
从太阳电池测试装置出发，从理论上结合温度对太阳电池性能的影响，分析了不同方案，确立了以半导体制冷器和热敏电阻为核心的温控装置，阐述了半导体致冷器温控装置的电路原理，并给出了实验装置图和实验结果．指出了该装置的优点． 相似文献
7.
本文阐述空间用高效率PESC硅太阳电池的理论设计和工艺实验研究.将电池设计为浅结密栅,在前表面热生长一超薄SiO_2钝化层,并制作了双层减反射膜,使电池的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大改进.在AM1.5光照条件下,短路电流密度高达37.4 mA/cm~2,光电转换效率达到18.03%. 相似文献
8.
采用了复合体模型，对常温下硅中金引入的深能级进行了理论上的计算，给出了相应的哈密顿算符，利用区域变分法计算，计算结果与实验测量数据符合较好。 相似文献
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采用了复合体模型，对常温下硅中金引入的深能级进行了理论上的计算，给出了相应的哈密顿算符，利用区域变分法计算，计算结果与实验测量数据符合较好 相似文献
10.
阐述了实验室测量太阳电池参数的方法、条件．设计了一种可调电位差补偿测试线路．另外,结合温度对太阳电池性能的影响,研制了测试系统中的温控装置．测试结果表明该装置能满足对高效硅太阳电池测试的要求． 相似文献