薄发射区晶闸管结构及特性的研究

在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.     

硼扩散杂质分布研究

本文介绍了用阳极氧化和化学剥层技术测定硅中硼扩散杂质分布的方法．给出了几种不同扩散气氛下硼扩散杂质在硅中分布的实验曲线．并与高斯杂质分布函数做了比较．发现高斯理论杂质分布与实验结果有很大偏差．本文对产生这种偏差的物理机制做了较详细的讨论．     

适用于电力器件的磷扩散模型

针对电力半导体器件的特性和工艺特点,提出了一种适用于电力器件的磷扩散模型并应用MATHMATICA4对该模型进行计算,计算的结果与SUPREM IV.GS模拟软件在相同的工艺条件下得到的结果趋于一致.并且与实际扩散结果接近.此种方法为电力器件其他杂质的扩散工艺过程的模拟提供了一定指导作用.     

扩散应力的测量及消除

本文采用光弹力学中的Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ补偿法，用红外光弹仪测量并分析了单面扩散、双面扩散工艺在硅衬底中引入应力的分布规律及产生机理。研究了双源补偿扩散法掺杂技术消除应力的可行性及工艺条件。     

薄发射区晶闸管结构及特性的研究

在晶闸管的ｐｉｎ二极管模型基础上，提出了薄发射区晶闸管新结构，分析Ｐ发射区杂质总量ＱＥ对晶闸管通态压降Ｖｒ的影响，导出ＱＥ与Ｖｒ的关系式。分析计算表明，对一确定的宽度ＷＢ和厚度ＷＰ小于等于０．１μｍ时，随着ＱＥ的减小，Ｖｒ单调下降并趋于一几乎不变的值，当ＱＥ大于某一值时，Ｖｒ与ＷＰ无关，而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加，实验结果还表明，用ＬＰＣＶＤ原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品，与     

Si3N4陶瓷材料的氧化行为及其氧化机理

采用氧化后再氧化的实验方法,通过对Si3N4陶瓷材料氧化行为的研究和氧化动力学的分析,讨论了Si3N4陶瓷材料的氧化机理.结果表明,Si3N4陶瓷材料的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律:(ΔW)2=Kpt .提出了氧在氧化层中的向内扩散是Si3N4氧化过程中的控制步骤;并认为烧结添加剂或杂质等对Si3N4陶瓷材料氧化速度的影响,是通过改变氧化层的组成、结构,使氧在氧化层中的扩散速度发生变化而产生的.     

P型杂质Ga在SiO2—Si内界面分凝规律研究

采用开管方式和SiO2/Si系统,实现了P型杂质Ga在硅中的可控制掺杂。借助二次离子质谱（SIMS）和扩展电阻（SRP）分析方法,对已掺Gar 杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ga在SiO2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式。为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础。     

砷在硅中的氧化增强扩散

本文研究了在低浓度条件下,砷在硅中的氧化增强扩散。砷是利用离子注入枝术在<100>方向注入到P型硅片中,离子注入后的硅片在氧化和非氧化的条件下进行热处理,使砷的分布产生再扩散。用两种不同的方法对砷的扩散分布进行了测量,一种是SIMS(二次离子质谱);另一种测量方法是Van der Pauw Hall效应。两种测量方法得到的结果是一致的。扩散系数是利用ICECREM模拟程序语言计算的。实验结果证实,砷在硅中存在着氧化增强扩散,而且氧化增强扩散的大小与氧化速率有关,氧化速率愈高氧化增强扩散愈大。根据实验结果得到了氧化增强系数与氧化速率之间的数学关系式。     

硅片氧化过程及其对硅中杂质分布影响的分析

利用带活动边界的“D＇Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常见的杂质初始分布的计算结果均与实验相符.     

SiO_2乳胶源涂布扩散实验

引言 随着半导体器件生产的发展,探索简化生产工艺的杂质源和扩散方法,是进一步提高产品质量和成品率的一项不容忽视的工作。SiO_2乳胶源涂布扩散是在固-固扩散基础上发展起来的一种新型扩散工艺,它不仅具有固—固扩散法的优点,而且可用一步扩散代替普通工艺的两步法扩散,在扩散的同时,还能形成具有掩蔽作用的SiO_2薄膜,从而大大简化生产工艺操作,减少硅片高温处理的次数,使产品质量和成品率可望有较大幅度的提高,生产周期缩短,产品成本有可能进一步下降。     

微电极上镍的电结晶研究

人们试图通过研究单核的形成和生长来探索电结晶规律。已经表明,由于受到浓度场的限制,单位面积基体上的晶核数目是个有限值,例如锌电结晶的最大晶核数度为1×10~6cm~(-2)。可见,采用面积小于10~(-6)cm~2的电极有可能实现单核生长的条件。本     

两步法处理堆浸液的新工艺

研究了两步法沉淀生产Ｎａ２Ｕ２Ｏ７的一种新工艺，克服了传统的两步法浸出液余酸不能返回利用和铁的氢氧化物过滤性能差的缺点，工艺简单，投资少．采用堆浸与该工艺相结合，对那些储量不大、但品位较高的矿床来说，更具实际意义．     

基于分类算法的潜在好友推荐系统

提出了一种基于分类算法的潜在好友推荐系统. 该系统采用两步特征方法处理原始数据集,去除不相关特征项和冗余特征项,为分类器提供精简的特征集合;把学者潜在好友推荐问题转化为二分类问题,对比4个常用分类器在两步特征选择方法上的分类效果,并找出推荐效果最佳的分类器(决策树分类器),同时得出学术社交网络中区分度最大的6个用户特征信息. 使用来自学术社交网络学者网（SCHOLAT）的社交网络信息作为实验原始数据集进行测试,实验结果显示,相比传统方法,基于分类的推荐方法在准确率和F1值均有显著提升,体现了基于分类算法的潜在好友推荐系统的准确性和实用价值.     

卧式搅拌槽内流体混合的实验与模拟研究

对卧式单轴格子桨搅拌槽中的流体混合过程进行了实验和模拟研究;采用碘和硫代硫酸钠褪色法实验考察了不同搅拌转速时的混合特性,由数码相机记录了混合过程的快照;采用计算流体力学方法对于混合时间进行两步法模拟,先计算稳态流场,然后在此稳态流场的基础上采用加入浓度标量的方法计算示踪剂扩散情况。混合过程的模拟结果与实验数据吻合良好。     

活化剂对Al－Cr扩散层中孔穴形成的影响

Ｎｉ衬底用粉末包装法先扩散Ａｌ再扩散Ｃｒ时，在Ａｌ—Ｃｒ扩散层内产生了孔穴。它形成的原因是：活化剂ＮＨ４Ｃｌ加热分解时生成ＨＣｌ气体，与已形成扩散层中的Ａｌ作用，使其从扩散层中逃逸，而在原来Ａｌ的位置上产生了孔穴。含有孔穴的Ａｌ－Ｃｒ扩散层的抗氧化能力明显降低。     

高能球磨Ti/Al复合粉固相反应烧结工艺

采用金相和能谱方法对Ti、Al箔的固相扩散反应行为进行了研究,建立了TiAl3相层厚度生长的计算公式.并在此基础上,探讨了球磨Ti/Al复合粉的两步固相烧结工艺.研究表明:两步固相烧结法可有效抑制烧结引起的粉末体变形,获得具有典型显微组织的致密烧结材料;尽管延长低温预烧时间可获得由TiAl与Ti3Al组成的热稳定性较好的组织,但组织致密度偏低,为了获得高致密的TiAl合金,仍需后续高温烧结.实验还表明,高能球磨促进了TiAl基合金组织细化,且球磨时间越长烧结组织晶粒越细小;双态组织中的层片组织含量随球磨时间延长而增加,但长时间球磨由于非晶化的出现又会引起层片组织含量下降.     

Sintering dense nanocrystalline ceramics without final-stage grain growth

Sintering is the process whereby interparticle pores in a granular material are eliminated by atomic diffusion driven by capillary forces. It is the preferred manufacturing method for industrial ceramics. The observation of Burke and Coble that certain crystalline granular solids could gain full density and translucency by solid-state sintering was an important milestone for modern technical ceramics. But these final-stage sintering processes are always accompanied by rapid grain growth, because the capillary driving forces for sintering (involving surfaces) and grain growth (involving grain boundaries) are comparable in magnitude, both being proportional to the reciprocal grain size. This has greatly hampered efforts to produce dense materials with nanometre-scale structure (grain size less than 100 nm), leading many researchers to resort to the 'brute force' approach of high-pressure consolidation at elevated temperatures. Here we show that fully dense cubic Y2O3 (melting point, 2,439 degrees C) with a grain size of 60 nm can be prepared by a simple two-step sintering method, at temperatures of about 1,000 degrees C without applied pressure. The suppression of the final-stage grain growth is achieved by exploiting the difference in kinetics between grain-boundary diffusion and grain-boundary migration. Such a process should facilitate the cost-effective preparation of other nanocrystalline materials for practical applications.     

基于元胞自动机的污染物潜水面扩散仿真算法

污染物由介质进入地下潜水面后,会在饱和带随地下水径流发生扩散。对该过程进行动态模拟与评估,可为地下水污染应急决策提供可视化手段。以元胞自动机为基础,耦合地下水污染扩散的分子扩散和机械弥散过程模型,构建了污染物地下水扩散的元胞自动机规则。采用抛物线方程模拟污染源汇项的输入,在二维平面上通过经验公式推演水动力弥散系数,计算元胞的污染扩散通量。将该方法应用到北京密怀顺地区,动态模拟农药在潜水面的扩散过程,具有较好的可视化效果。     

舰船发电机抗冲击性能分析

为了保证舰艇的战斗力,在舰艇设计阶段通常要对艇内设备的抗冲击性能进行校核。对某浮筏原动机发电机系统进行三维有限元建模,用弹性体具体模拟了筏体、发电机和原动机定转子结构,分析了发电机冲击条件下定转子的响应。然后与两步法(采用多刚体简化建模计算出发电机等效刚性块响应,作为界面输入分析发电机的定转子响应)进行了对比。通过3组方案的比较,发现两步法在很多情况下分析结果远比整体建模偏小,常导致严重的欠估计。     

齿轮渗碳工艺的设计

本文首先介绍了渗碳齿轮热处理中存在的技术问题,而后针对这些技术问题讨论了齿轮渗碳工艺的设计原则。作者认为常用齿轮渗碳是一个混合控制过程。为了强化渗碳过程,渗碳初期要增大相界面渗碳反应速度;中、后期应提高碳在奥氏体中扩散通量。文中还介绍了如何根据表面硬度和其它性能要求,确定渗碳后表面碳含量 C_S;根据 C_S 和渗层厚度,考虑到非平衡渗碳和钢的化学成分选择气氛的控制参数;讨论了变碳势渗碳工艺参数的确定原则及其对渗碳结果的影响。提出了中温渗碳、炉内预冷和热油—空气分级淬火及控制渗层厚度和显微组织等措施以减少齿轮热处理变形。