汤河电厂3200kW机组大修的主要项目和技术措施

摘要。该文主要阐述了汤河电厂在对3200kW机纽进行大修时的主要项目及在全面大修后、开机前应做好哪些技术措施，以保证在可开机运行的条件下正常，顺利，安全地进行发电生产，实现大修后的发电机组安全生产和经济效益的最优化。     

不同基片生长γ'-Fe4N薄膜的结构及其磁学性能

采用直流磁控溅射方法, 保持氩气流量不变, 控制氮气的体积分数为10%,125%,15%, 分别用Si（100）单晶和SrTiO₃（100）单晶基片制备Fe N薄膜. 用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe N薄膜的结构及磁学性能进行表征. 结果表明: 在SrTiO₃（100）单晶基片上得到了单相γ′-Fe₄N薄膜, 与Si（100）基片上的样品相比, SrTiO₃（100）更有利于诱导γ′-Fe₄N薄膜的取向性生长; 当氮气的体积分数约为12.5%时, 制备单相γ′-Fe₄N薄膜的晶粒结晶度较好, 且饱和磁化强度较高, 矫顽力比Si（100）为基片获得的Fe N薄膜样品低, 软磁性能较好.     

火力发电企业CO_2排放量和减排分析

分析了电力企业CO2排放量的计算模式,提出IPCC排放因子计算模式、实测方法、物料衡算方法和宏观模型方法,并就影响排放因子的因素进行校核,提出电力生产低碳发展静脉循环经济模式下的捕获和资源化应用CCU减排思路.     

La1-xCaxMnO3薄膜的制备及结构和磁性研究

采用溶胶-凝胶旋涂法在表面氧化的Si (100)基片上制备了La1-xCaxMnO3 (x=0,0.1,0.15) 薄膜.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)及振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、形貌和磁性进行了研究.结果表明:薄膜为正交钙钛矿结构,具有平整的表面,La0.85Ca0.15MnO3样品的薄膜厚度为334 nm.样品在居里温度附近发生铁磁-顺磁转变,随着Ca2+掺杂浓度的增加,样品的居里温度变大,x=0.15时,样品的居里温度为299 K.     

H-Bézier曲面的G2连续条件

在CAGD中常遇到Bézier曲线、曲面光滑拼接问题,文章在H-Bézier曲面的几何模型基础上,研究了2片H-Bézier曲面的G2光滑拼接条件,并给出了2片H-Bézier曲面G2光滑拼接的实例,实验结果表明该方法的有效性.     

脉冲磁场对应激大鼠海马神经干细胞增殖的影响

建立大鼠束缚应激模型及脉冲磁场环境，观察应激大鼠在脉冲磁场环境中海马神经千细胞数及增殖变化．实验设对照、应激、磁场、应激磁场4个组，应用免疫组织化学法观察和计算各组海马巢蛋白（Nestin）和溴化脱氧核糖尿嘧啶（BrdU）的阳性细胞数．研究结果显示，Nestin在各组海马CA1和CA2区表达，BrdU在海马齿状回表达．实验各组Nestin和BrdU的阳性细胞比对照组明显增加，应激磁场组增加更显著，而磁场组和应激磁场组则无明显差异．这表明应激能引起大鼠海马神经千细胞内源性增殖，脉冲磁场能显著提高应激大鼠海马神经千细胞的增殖反应，提示在应激脑损伤的基础上，脉冲磁场作为外源性物理因素能刺激神经千细胞增殖，并可能修复受损神经元。     

曲面环式轴承向心力传感器

轴承载荷能反映它支承的机械的载荷，是机器的性能研究和自动控制中很有用的一个参数．轴承向心力传感器是获取轴承载荷信号的一个关键元器件．本文推荐了一种曲面环作为轴承向心力传感器．它的结构简单紧凑，便于安装，有较广泛的应用范围．文章介绍了这种环的结构，用计算和试验检测了它的性能，并通过计算机模拟试验分析了它的结构参数对测试性能的影响．     

好氧颗粒污泥膜生物反应器处理畜禽废水

采用好氧颗粒污泥膜生物反应器处理畜禽废水，分别对COD、NH4^＋-N、NO2^--N、NO3^--N的去除效果和对膜通量的影响进行了研究。结果表明：在水力停留时间（HRT）为8h，进水COD浓度为600mg／L，NH4^＋-N浓度为40mg／L的条件下，出水COD、NH4^＋-N的浓度分别为46．6和4．8mg／L。NO2^--N和NO3^--N的去除率也可达90％以上。并且好氧颗粒污泥的加入减缓了膜的污染。     

聚丙烯接枝聚丙烯酸中空纤维膜的pH响应性

评价了聚丙烯酸接枝改性聚丙烯中空纤维膜的pH响应性。在接枝率小于17％时，接枝膜的pH敏感性随接枝率的增加而提高。在牛血清蛋白（BSA）溶液微滤试验中，接枝膜与未接枝膜在BSA的等电点4．7处，都表现出严重的膜污染；而pH=3时，膜通量下降趋势最小。与未接枝膜相比，接枝膜在pH=3时污染较严重，而接枝率18％的膜在pH4．7和8时表现出一定的抗污染性。研究表明：蛋白质与膜之间的电荷作用以及BSA和膜构象的变化都是膜污染的重要影响因素。