首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   19篇
  免费   0篇
系统科学   15篇
教育与普及   1篇
综合类   3篇
  2012年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   1篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
  2005年   2篇
  2004年   2篇
  2002年   1篇
  1999年   6篇
  1996年   2篇
排序方式: 共有19条查询结果,搜索用时 140 毫秒
1.
一类刚性大系统实时数值仿真的组合算法   总被引:4,自引:0,他引:4  
刘德贵  陈丽容 《科学通报》1999,44(2):136-142
提出一类实时仿真RK-Rosenbrock组合方法 ,给出了这类组合方法的构造,收敛性和数值稳定性分析,理论分析和仿真试验表明这类算法是有效的和实用的。  相似文献   
2.
在现有的基于移动窗口函数模型和随机模型系统误差自适应拟合方法的基础上,提出一种基于移动窗口动态导航模型系统误差的随机加权拟合法,在相同的窗口内给出了相应的状态预报向量协方差阵的随机加权拟合。由于动力学模型系统误差难以直接修正,采用修正状态估计误差向量及动力学模型误差向量的方法,实现对动力学模型系统误差的修正,然后利用修正后的动力学模型及相应的协方差阵进行导航滤波计算,有效地抑制动力学模型系统系统误差的影响,提高导航解算的精度。仿真结果证明,采用随机加权拟合后的算法精度优于未进行拟合的卡尔曼滤波和自适应卡尔曼滤波算法。  相似文献   
3.
4.
本文提出一类分解的刚性动力学系统数值仿真的实时RKRosenbrock(RTCRKR)组合方法,分别运用Rosenbrock方法和显式RK方法求解刚性和非刚性子系统。文章讨论了这类组合方法的构造、收敛性和数值稳定性。数值仿真试验表明这类方法是有效的。  相似文献   
5.
发汗控制问题的线方法及其稳定性分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
发汗控制是热防护的一种重要手段。本文给出发汗控制方程显式差分格式,也研究该问题的隐式差分格式。对这个问题的固定边界和活动边界情形分别讨论两种差分格式的数值稳定性,并得到相应的稳定性准则。理论分析和数值试验表明隐式格式可以根据需要的计算精度选取时间步长τ,并且数值试验还表明隐式格式能节省更多的CPU时间,因为时间步长τ可以放大。  相似文献   
6.
针对被测软件有多种使用时的情况,提出了一个三维的运行剖面描述模型,该模型要求综合考虑被测软件在实际应用中的各种使用情况,因而依据三维运行剖面描述模型进行测试,能较好的体现出被测软件的整体质量.给出了基于三维运行剖面描述模型的测试数据自动生成算法,以及检验生成的测试数据集与被测软件的运行剖面是否一致的方法,以保证测试数据集的有效性.  相似文献   
7.
对于一个大的刚性延迟微分方程系统,除了延迟分量给予系统影响外,还常常会出现系统的解分量有的变化很快,而有的变化很慢的情况。此时,可以把大的刚性延迟微分方程系统分解成为两个耦合的子系统,一个是描述系统快变部分的刚性延迟子系统,另一个是描述系统慢变部分的非刚性延迟子系统。对于分解的刚性延迟微分方程大系统,构造了一类用于求解刚性延迟微分方程的组合两步连续RK-Rosenbrock方法,讨论了方法的构造,方法的阶条件,证明了方法的收敛性,分析了方法的稳定性,数值试验表明方法是有效的。  相似文献   
8.
本文提出一类分解的刚性动力学系统数值仿真的实时RK-Rosenbrock(RTCRKR)组合方法,分别运用Rosenbrock方法和显式RK方法求解刚性和非刚性子系统。文章讨论了这类组合方法的构造、收敛性和数值稳定性。数值仿真试验表明这类方法是有效的。  相似文献   
9.
奇异延迟微分方程数值仿真的两步连续Runge-Kutta方法   总被引:1,自引:1,他引:1  
提出在当前的积分步内计算级值时,放松延迟对计算的影响的思想,构造了一类奇异延迟微分方程数值仿真的两步连续Runge-Kutta方法(TSCRK),讨论了方法的构造,方法阶条件,证明了方法的收敛性,分析了方法的稳定性。这类方法具有优良的稳定性和较高的阶级,并保持了显式的求解过程。数值试验表明方法是有效的。  相似文献   
10.
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明在GaAs/InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移;PL谱峰较强,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰,表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属-半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号