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本文叙述了在直拉法生长的尖晶石上外延硅膜的制备与性质。已在直拉法尖晶石 （１００）面衬底上生长出一批电学性能较好的Ｎ型单晶硅膜，并进行了热氧化稳定性试 验，Ｎ型掺杂的硅膜其霍尔迁移率一般在３００厘米２／伏·秒左右．最高达３８０厘米２／伏 ·秒。载流子浓度控制在 １０１５～１０１６／厘米３硅膜厚度在 １—２微米。 相似文献
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回顾了掺杂稀土锰氧化物研究工作所取得的一些成就,提出目前尚未解决的问题,并简要介绍了掺杂稀土锰氧化物样品的制备方法。 相似文献
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探讨了用溶胶 -凝胶法 (简称SOL GEL)多次重复涂层烧结HA Ti复合种植体 ,使多层超细HA涂层粉末的纯度、结晶度和HA晶体的纳米结构得到改善的工艺条件 ,此工艺能使涂层与基底材料各组分相互混合达到分子水平的均匀 ,并在界面生成牢固的化学过渡层 相似文献
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纳米级羟基磷灰石生物陶瓷粉末的制备新方法 总被引：16，自引：0，他引：16
对溶胶凝胶法制备纳米级羟基磷灰石生物陶瓷粉末的技术工艺进行了探索性研究。研究表明选择合适的原料配比，溶胶液的ｐＨ值、烧结温度和恒温时间，对于提高制备ＨＡ粉末的纯度和结晶度，改善ＨＡ晶体的纳米结构，并形成直径１μｍ左右的团聚体是极为重要的。 相似文献
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对制备羟基磷灰石粉末工艺条件的再探讨 总被引：1，自引：0，他引：1
进一步探索了用溶胶－凝胶法制备羟基磷灰石粉末的工艺条件。实验表明：获得理想样品的最主要条件是硝酸钙和磷酸三甲酯的质量比约为２．８６∶１,溶胶液的ｐＨ值应取７左右。烧结温度控制在５５０～６５０℃,恒温时间控制在１．５～３ｈ,对于制备ＨＡ复合种植体特别重要。 相似文献
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本文论述了电磁场的物质性，首先阐明了电磁场的能量、动量和质量；接着介绍了电磁场与粒子的统一性；最后还给出了电磁场与实物粒子的性质对比表。 相似文献
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本文叙述了在直拉法生长的尖晶石上外延硅膜的制备与性质。已在直拉法尖晶石(100)面衬底上生长出一批电学性能较好的N型单晶硅膜,并进行了热氧化稳定性试验,N型掺杂的硅膜其霍尔迁移率一般在300厘米~2/伏·秒左右,最高达380厘米~2/伏·秒。载流子浓度控制在10~15～10~16/厘米~3硅膜厚度在1～2微米。 相似文献
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纳米级磁性多层膜的巨磁特性 总被引：2，自引：0，他引：2
磁性多层膜是人工设计制作的新材料,表现出许多新的性能,巨磁电阻电阻疚２是最具有吸引力的,简要地介绍了磁性多层膜中的巨磁电阻效应,并指出可能的应用领域。 相似文献
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制备HAP粉末新工艺影响因素的模糊判断 总被引：1，自引：1，他引：0
在工艺影响因素不同的情况下 ,对用溶胶 -凝胶法 (简称 sol-gel)制备纳米级超细羟基磷灰石 ( HAP)粉末的新工艺的特性作了重点研究 ,利用模糊数学的方法 ,找到了这些因素的隶属函数 ,并确定它们对 HAP粉末优良程度的模糊关系矩阵。 相似文献
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