减压法制备TiO2薄膜及影响因素的研究

主要研究了用化学气相沉积法在减压状态下制备ＴｉＯ２薄膜，不温度和压力改变时，会影响薄膜的沉积率，晶型及表面形貌。并且根据阿龙尼乌斯公式算是在玻璃片镀膜基表反应的平均活化能为５７．０８６ｋＪ／ｍｏｌ。     

用四异丙醇钛镀膜在光催化下处理苯酚溶液

研究了用四异丙醇钛镀膜在光催化下对苯酚溶液进行转化。试验证明，镀膜厚度、源物质、镀膜条件均对苯酚溶液的转化率有影响。为实际处理苯酚废水提供了理论依据。     

不同掺杂元素对GaN基材料发光性能影响研究进展

由于GaN材料本身具有的极大优越性,如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等,决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位,而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点.本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果,总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂,分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响,并以Mg掺杂GaN为例,对比了各种掺杂技术的优缺点.     

TiO2薄膜的光催化特性

低压利用四异丙醇钛水解法制备了TiO2薄膜，将TiO2固定化并尽可能保留其尺寸效应，联系制膜条件和膜的表性，研究了TiO2薄膜的光催化活性，利用Raman,XRD，AFM和UVvis等手段探讨了不同膜厚，晶型，衬底对膜催化活性的影响，结果表明，随着衬底温度的升高，TiO2由非晶型转变为锐钛矿，光催化活性提高，随着TiO2薄膜厚度的增加，催化活性降低，在玻片，Si,SnO2，Al为基片所制TiO2薄膜中，以Al为基片的TiO2薄膜的光催化活性最好。     

TiO2薄膜的光催化特性

低压下利用四异丙醇钛水解法制备了TiO2薄膜,将TiO2固定化并尽可能保留其尺寸效应 .联系制膜条件和膜的表性,研究了TiO2薄膜的光催化活性.利用Raman、XRD、AFM和UV -vis等手段探讨了不同膜厚、晶型、衬底对膜催化活性的影响.结果表明,随着衬底温度的升高,TiO2由非晶型转变为锐钛矿,光催化活性提高;随着TiO2薄膜厚度的增加,催化活性降低.在玻片、Si、SnO2、Al为基片所制TiO2薄膜中,以Al为基片的TiO2薄膜的光催化活性最好.