任意势能量子阱本征值有限元计算方法

本文提出了计算任意势能分布量子阱的有限元方法,该方法从Galerkin(伽辽金)有限元方法出发,采用三级线元作为有限元以及熟知的边界条件,即波函数及其一阶导数除以电子有效质量在边界处连续。通过计算GaAs/AlGaAs方型量子阱本征值证实了该方法的有效性。     

a—Si∶H/a—Ge∶H多势垒结构中的隧道效应

本文通过对反应溅射法制备的a—si∶H/a—Ge∶H多势垒异质结电流——电压关系的测量,研究了多势垒异质结的载流子输运机理,在室温观察到了强场下通过多势垒结构的隧道电流,并检测了热电子的产生。     

用有限单元法计算量子阱结构本征值

本文从有限元伽辽金(Galerkin)方法出发,提出了计算任意势能变化半导体量子阱本征值的有限元方法,在该方法中,有限元仅用在量子阱区域,而半无限势垒的贡献用解析式给出,通过计算方量子阱及截短抛物线型势阱本征值证实了该方法的有效性。     

反应溅射生长的 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格结构的 TEM 观察

自1983年 Tiedje 和 Abeles 等人报导了非晶态半导体超晶格以来,非晶态半导体超晶格以它特殊的性质和潜在的应用前景(如太阳能电池,TFT 等)越来越引起人们的注意。由于非晶态长程无序,因而非晶态超晶格不像晶态超晶格那样在界面处要求严格的晶格匹配。人们已经用辉光放电法生长了 a-Ge∶H/a-Si∶H 超晶格(?)~2,但是这种方法     

ABABA型方形双势垒结构中随质量和入射角变化的共振贯穿研究

通过对双势垒结构中电子有效质量的变化及电子束不同的入射角度引起的共振贯穿现象的研究,预言了双势结构作为一种在控制自由空间电子束方面有重要应用的新型过滤器的可能性.     

a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的电学特性研究

测量了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的平行电导和垂直电导,研究了超晶格的结构和输运机理;实验观察到了强场下垂直电导的指数增强效应,得到阱层 a-Ge∶H 的深隙态密度N_g=1.9×10~(18)cm~(-3)·ev~(-1).对实验结果作了初步讨论.     

掺杂a-Si∶H薄膜的非平衡热缺陷研究

通过直流暗电导率温度依赖关糸σ(T)和光吸收谱的测量,研究了退火降温速率对掺杂a—Si∶H薄膜中热缺陷的影响.