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根据余瑞璜提出的“固体分子的经验电子理论”,在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结合能及熔点理论基础上 ,研究 Ti B2 等高性能材料电子结构 .发现 IVB,VB族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高 ,原因是组成元素的杂阶升高 ,单键半距随杂阶升高而逐渐下降 .其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系 ,表明用经验电子理论进行电子结构分析可为材料设计提供有力的理论指导 .另外几种金属化合物的键距差分析和结合能及熔点的计算实现了传统固体理论不能进行的复杂结构晶体电子结构及性能分析 相似文献
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根据余瑞璜提出的“固体分子的经验电子理论”,在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结构及熔点理论基础上,研究ＴｉＢ２等高性能材料电子结构,发现ＩＶＢ,ＶＢ族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高,原因是组成元素的杂阶升高,单链米距随元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高,原因是组成元素的杂阶升高,单链半距随杂阶升高而逐渐下降,其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系,表明用经验电子理论进行电子结构分 相似文献
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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 总被引：5，自引：0，他引：5
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小. 相似文献
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