TiB2等C32型化合物价电子结构分析

根据余瑞璜提出的“固体分子的经验电子理论”,在徐万东和余瑞璜处理过渡金属化合物晶体结构及熔点理论基础上,研究ＴｉＢ２等高性能材料电子结构,发现ＩＶＢ,ＶＢ族元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高,原因是组成元素的杂阶升高,单链米距随元素的硼化物熔点都比相应的单质有较大提高,原因是组成元素的杂阶升高,单链半距随杂阶升高而逐渐下降,其杂阶组合与结合能及熔点的密切联系,表明用经验电子理论进行电子结构分     

金属间化合物Ni_3Al和NiAl晶体中电子杂化态结构和结合能的计算及其脆性

用余瑞璜的“经验电子理论”的方法及结合能公式，计算了金属间化合物Ｎｉ３Ａｌ和ＮｉＡｌ的晶体中原子的杂化态电子结构及其结合能，并对这两种材料的脆性问题从电子结构的层次上进行了讨论     

金属间化合物Ni3Al和NiAl晶体中电子杂化态结构和结合能的…

用余瑞璜的“经验电子理论”的方法有结合能公式，计算了金属间化合物Ｎｉ３Ａｌ和ＮｉＡｌ的晶体中原子的杂化态电子结构及其结合能，并对 两种材料的脆性问题从电子 层次上进行了讨论。     

经验电子论对P-S曲线的分析(Ⅰ)——Ni-Fe,Ni-Cu二元合金的电子结构

本文应用余瑞璜提出的“经验电子论”对P-S曲线(即Pauling-Slater磁三角曲线)右侧的两个f.c.c结构二元无序固溶体(Fe-Ni,Ni-Cu)的价电子结构和磁矩进行了分析,从微观的角度揭示了过渡族金属固溶体中稳定原子态随固溶体浓度迁移的规律,探讨了结晶固体中磁性的起源及P-S曲线的本质。最重要的观察是随着两种原子相对成分的变化,原子的杂阶向相等的方向转移,另一方面又尽量避免向哑对电子数多的方向转移。根据余瑞璜建立的B族元素结合能的普遍公式,这两种转移都是向使原子间结合能增加的方向发展,因此这个分析在数量上具体地表明了磁三角曲线形成的原因。     

α－（AlMnSi）空间构型与价电子结构分析

分析了金属间化合物α－（ＡｌＭｎＳｉ）的空间结构，并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α－（ＡｌＭｎＳｉ）的理论键距及其各种原子所选取的杂阶．在此基础上计算出α－（ＡｌＭｎＳｉ）中Ｍｎ原子键络的共价键键能．     

α—（AlMnSi）空间构型与价电子结构分析

分析了金属间化合物α－（ＡｌＭｎＳｉ）的空间结构，并运用余瑞璜的固体与分子经验电子论中的键距差分析法计算了α－（ＡｌＭｎＳｉ）的理论键距及其各种原子所选取的杂阶，在此基础上计算出α－（ＡｌＭｎＳｉ）中Ｍｎ原子键络的共价键键能。     

锕系元素氧化物的价电子结构分析——三价锕系元素单键半径R(1)公式的验证

本文作者之一曾在鲍林金属电子论的基础上,应用余瑞璜20年来所建立起来的固体与分子经验电子理论,建立了三价锕系元素的单键半径R(1)的普遍公式,及其杂阶表,为了证实这一公式的适用性,本文对三阶锕系元素的氧化物进行了价电子结构分析,给出了键电子结构,其键距差均在允许误差之内,证明了此公式对三价锕系的氧化物是适用的。同时,为三价锕系的氧化物的性能分析提供了价电子结构方面的基本数据。     

Cu-Ni-Si合金的价电子结构分析

基于固体与分子经验电子理论(EET),对纯金属晶体Cu以及合金固溶体Cu-Ni、Cu-Si和Cu-Ni-Si进行价电子结构分析,建立相空间价电子结构计算模型和方法,从相空间价电子结构角度探讨合金元素的合金化行为。计算结果表明:Cu处于第15杂阶,Ni处于第8杂阶,Si处于第2杂阶,Cu-Ni-Si晶胞的最强键上共价电子数达到了0.45722,这说明合金元素Ni和Si的溶入,能够提高纯铜晶胞的原子键引力,强化铜基体。     

金属化合物Ti_3Al的价电子结构及其力学性能

本文根据固体与分子经验电子理论,采用键距差分析方法,对α-Ti、金属间化合物Ti_3Al和Ti_6AlGa的价电子结构进行了分析。确定了Ti,Al和Ga在这些材料中的状态、它们所贡献的共价电子数n_c和晶格电子数n_t以及共价电子在总价电子中所占的比例η。发现这些量和材料的力学性能有较好的对应关系。例如,η和结合能、韧性、屈服强度、裂缝出现的形变度之间有较好的对应关系。     

γ-Fe(111)，Co(0001)，Ni(111)，C(0001)晶面电子密度计算及触媒作用优劣的价电子结构分析

由于Fe,Co,Ni元素密集面上的原子与石墨层面上单号原子间距相近,常用作触媒,使石墨在较低压力和温度下直接转化为金刚石,异相界面上电子密度的大小和差异直接影响其结合能力.笔者应用余瑞璜教授的固体与分子经验电子理论,对Fe,Co,Ni,C的价电子结构进行了键距差(BLD)分析,发现γ-Fe处于B种杂化第12阶, Co 在第12 阶,Ni在第10 阶,C在第6 阶.计算出γ-Fe(111),Co(0001),Ni(111),C(0001)晶面的平均共价电子密度(简称电子密度)分别为38.272 8 nm - 2,54.603 5 nm - 2,54.766 6 nm - 2,76.334 0 nm - 2.作为触媒,Co 和Ni优于Fe.     

固体与分子经验电子理论中k公式的量子力学推导

考虑了s,pz,dz 轨道被价电子占据的几率 ,从量子力学角度推导了k公式 .给出的公式适应所有情况 ,且初步解决了杂化态的不确定性问题 .     

固体与分子经验电子理论中k公式的应用

作者曾考虑了s,pz,dz 轨道被价电子占据的几率 ,对固体与分子经验电子理论 (EET)中的k公式重新进行了量子力学推导 ,给出了一个新的k公式 .本文应用该公式分别对 3种可能的杂化 (s p杂化 ,s p d杂化和h态只有晶格电子的杂化 )进行了讨论 .结果表明 ,给出的k公式适应所有情况 ,且用该公式确定的固体原子杂化台阶的个数 ,比用EET给出的两个k公式确定的杂化台阶的个数少 ,初步解决了固体原子杂化态的不确定性问题 .     

从三元黄铜矿结构CuM（M=In,Ga）X2（X=Se,S）到CuIn0.5Ga0.5Se2的价电构、熔点和光电性能的关联性分析

应用＂固体与分子经验电子理论＂（Empirical Electron Theory,EET）系统地研究了三元黄铜矿结构CIGS的价电子结构,以此为基础分析了CIGS（Cu（In,Ga）（Se,S）2）的熔点和光吸收性质.计算结果和实验值符合的很好,计算得到Cu的3d电子与In,Ga的s电子杂化后的跃迁可以使CIGS吸收光子.CuInSe2的禁带宽度在1–1.16eV之间,CuGaSe2的禁带宽度在1.54–1.74eV之间,CuInS2的禁带宽度在1.4–1.61eV之间,CuGaS2的禁带宽度在2.36–2.44eV之间.用球磨、退火的方法得到CuIn0.5Ga0.5Se2单相,通过XRD得到晶体结构,差热分析得到熔点.根据晶体结构和熔点,用EET计算得出CuIn0.5Ga0.5Se2吸收光子的能量主要分布在1.17–1.56eV之间,禁带宽度接近较小值.黄铜矿结构的CIGS都可以吸收紫外光,其中CuInSe2的吸收效率最高,主要吸收峰在紫外区,CuGaSe2吸收紫外光的效率最低.     

N，N＇－1，4－亚丁基双螺吡喃和双螺噁嗪的合成及光致变色性能

合成三种Ｎ，Ｎ＇－１，４－亚丁基双螺吡喃和双螺噁嗪光致变色化合物，通过红外光谱、核磁共振氢谱及元素分析确证其结构。这些化合物熔点比相应的单螺环化合物高。还研究了闭环体与开环体（部花菁）的光致变色性能，发现双螺环化合物开环体的热稳定性较单螺环化合物高。     

于谦的悲剧:一个政治学的解读

本文从政治学的维度对明代著名政治家于谦的死因进行了重新解读 ,指出 :一代清官和民族英雄于谦的政治悲剧 ,其根源主要不在奸臣陷害 ,也不是明英宗的的昏庸或残忍 ,而是在英宗复辟成功、皇权转移更替之际 ,皇朝最高统治者为确立其“复辟”的政治合法性 ,为重建因景泰帝继统而遭到破坏的皇统的政治需要之所致。     

徐庾体与宫体关系探讨

从评述历代学者都是将徐庾体归属于宫体，把徐陵、庾信父子四人归人宫体诗人的范畴的角度。对徐庾体的存在和徐庾体与宫体的关系，提出了大胆质疑，认为徐庾体的成立本就荒谬，而早期的庾信也不能算做宫体诗人。     

铜铝合金价电子结构的计算

采用余氏理论计算了铜铝合金在不同时效作用下析出相价电子结构,通过对键强的分析,从而发现相析出过程中合金强度逐渐得到强化.     

从《答刘正夫书》看韩愈的文学思想与创作

韩愈等倡导的古文运动取得重大成功的一个重要原因是韩愈确立了一整套比较完整的创作理论。而且他躬身实践,创作了一大批具有典范性的古文作品。他的创作和理论在其作品中得以统一。文章从韩愈的《答刘正夫书》探究他的文学思想与创作。     

包覆状态下的大块Pb晶体的动力学过热

研究了非自由表面大块晶体Pb的过垫热，主要介绍通过有效的方法制得试样，然后，用DSC-7准确测量大块晶体Pb在不同加热速度条件下的过热度，从而得出大块晶体Pb能够产生动力学过热。     

虞舜传说与吴越文化

浙江境内有不少以舜命名的地名和与此相关的文化纪念物 ,民间则流传着一批虞舜传说。着重分析这些口头传说的形成过程和传播特征 ,并指出它们与典籍中虞舜传说的传承关系及其史料价值。与此同时 ,就史学界历来对虞舜传说的种种看法提出了自己的见解。