电流变液的固态结构

电流变体系在外场作用下形成一定的固态结构,而其性能与所形成的结构密切相关.不考虑体系非静电力时,体系自由能为静电能的负值,而静电能与有效介电常数成正比.基于Maxwell-Wagner模型,推导出有效介电常数关于颗粒体积比的一系列正幂项解析表达式,计算球颗粒悬浮于介质或导电液体中构成的3种立方结构的有效介电常数.计算结果表明:电流变体系中球颗粒为介质球或是导体球构成3种立方结构中FCC结构具有最低的自由能.电流变液在由液相向固相转变的过程中,形成的固态结构为FCC结构.     

地球附近自由抛体的运动

非惯性系中质点的运动,是《理论力学》中重要的组成部分,特别是受地球转动的影响,地面附近质点的运动尤为复杂,本文用矢量力学的方式来处理,很容易求出其运动规律.     

层状半导体MoSe2/WSe2热学性能参数定量分析

利用键弛豫理论与局域键平均近似方法对过渡金属MoSe₂和WSe2的热学参数进行了定量分析，建立了热膨胀系数、晶格常数、热应变分别与温度的函数关系式，揭示了层状半导体材料热学参量的温度效应物理机制，并获得了块体MoSe2和WSe2的德拜温度分别为276，260 K.实验结果表明，热膨胀系数与德拜比热成正比，与原子结合能成反比；温度高于材料的德拜温度的1/3时，晶格常数、热应变与温度呈线性关系.     

智能车跑道图像的大津阈值分割算法

智能车跑道环境复杂多变,传统的大津阈值分割法无法完成跑道图像的准确分割.在分析传统大津法二值化的基础上,提出了适合智能车跑道图像处理的分块大津法二值化,准确快速地完成了跑道阈值的分割,并有效地完成路径的识别.     

太赫兹场作用下的GaAs双量子阱的光吸收分析

用密度矩阵理论分析了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱和双量子阱的光吸收谱.分析表明：在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带,这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.     

二质点体系的内力功的计算

本文从不同角度计算了一对内力的功，从而证明了它与参照系的选择无关的结论。     

纳米CeO2键弛豫动力学的计量拉曼谱分析

纳米CeO₂的原子结构变化和键弛豫作用决定了其应用领域.从化学键弛豫及振动的角度出发,利用声子计量谱学技术,探讨拉曼光谱压强效应背后的物理机制.应用键弛豫理论,对纳米CeO₂的拉曼光谱压强效应进行定量分析;建立声子谱与压强的函数关系,求取体模量和压缩系数;阐述纳米CeO₂拉曼频移蓝移的物理起因,即压强增大促使CeO₂键长收缩、键能增强,引起拉曼谱发生蓝移现象.     

双凹曲面结构光子晶体的聚焦特性及负折射效应

光子晶体由在一块均质电介质板上垂直平行地所钻的空气孔构成，此结构的光子晶体对在其中传播的平面波能高质量地被聚焦，同时显示出很强的远场聚焦.笔者对频率为0.19 Hz(2πc/a)的激发Bloch波模进行模拟，发现在近布里渊区(Brillouin tone)边界附近出现负折射现象.     

层状半导体MoSe2/WSe2热学性能参数定量分析

利用键弛豫理论与局域键平均近似方法对过渡金属MoSe₂和WSe2的热学参数进行了定量分析,建立了热膨胀系数、晶格常数、热应变分别与温度的函数关系式,揭示了层状半导体材料热学参量的温度效应物理机制,并获得了块体MoSe2和WSe2的德拜温度分别为276,260 K.实验结果表明,热膨胀系数与德拜比热成正比,与原子结合能成反比;温度高于材料的德拜温度的1/3时,晶格常数、热应变与温度呈线性关系.