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对MOCVD生长的GaAs/A1_xGa_(1-x)As多量子阱结构进行了光致发光特性的测量,结果观察到三个发光峰:位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.481eV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。对三种发光峰的能量位置进行了理论计算,其计算结果与实验测量所得到的值符合较好。 相似文献
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在调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光致发光谱中,靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰,且发光强度随温度的增加而变化。这些弱峰是由于掺硅AlGaAs中DX中心上的电子向起受主作用的SiAs原子跃迁复合而引起。由此确定DX中心有四个能级,其激活能分别为0.35eV,0.37eV,0.39eV和0.41eV。 相似文献
4.
报导了由射频溅射制备稀土硅化物薄膜,样品的红外吸收光谱中,在865cm^-1有一个强吸收峰,而在462cm^-1有一个弱吸收峰。样品进行了高温退火后,强吸收峰基本没有变化,而弱吸收峰随退火温度的升高而增强,我们认为强吸收峰是YSi2的键振动吸收,而弱峰是YSi的键振吸收。 相似文献
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报导了由射频溅射制备稀土(Y)硅化物薄膜.样品的红外吸收光谱中,在865cm-1有一个强吸收峰,而在462cm-1有一个弱吸收峰.样品进行高温退火后,强吸收峰基本没有变化,而弱吸收峰随退火温度的升高而增强.我们认为强吸收峰是YSi2的键振动吸收,而弱峰是YSi的键振动吸收 相似文献
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对MOCVD生长的GaAs/AlxGa1-xAs多量子阱结构进行了光致发光特性的测量。结果观察到三个发光峰;位于1.664eV处的峰是自由激子发光;峰值处于1.48leV的发光是GaAs中施主Si(Ga)原子上的电子向受主Si(As)跃迁引起的;而在1.529eV处的弱发光峰是GaAs阱层中Si(Ga)原子上的电子与价带量子阱中基态重空穴复合形成的。 相似文献
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程兴奎 《山东大学学报(理学版)》1988,(3)
本文报导了将稀土元素钇(Y)掺入非晶硅中的实验结果。在含有氢气的氩气中由射频溅射获得了掺钇的α—Si:H 薄膜,热探针测试表明样品为 n 型,室温(300K)直流电导率最大值为6×10~(-1)Ω~(-1)·cm~(-1)。变温电导测量指出,在室温附近样品是激活型延展态电子导电,所得样品的电导激活能最小值为0.12ev。将掺钇的α—Si:H 膜沉积在 p 型单晶硅片上,制备出α—Si/c—Si 结构的p—n 结,测量其电流—电压特性结果表明,它具有象晶态半导体 p—n 结同样的整流作用。 相似文献
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采用MOCVD技术制备了GaAs/AlGaAs多量子阱结构材料,对其进行了光致发光特性的测量,结果观察到5个发光峰,其波数分别为υ=9600cm-1,12020cm-1,12240cm-1,12550cm-1和13070cm-1,并对发光峰的位置进行了理论的说明 相似文献
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本文报导用射频溅射法制备出一种新型非晶态半导体超晶格薄膜α—Si:H╱α—SiY:H,并验证了其量子尺寸效应。 相似文献
10.
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复杂合中心的存在,使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度,样品经过氢等离子体处理后,其光电性质明显改善。 相似文献