稀土硅化物的制备及红外吸收光谱 |
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引用本文: | 程兴奎,王家俭.稀土硅化物的制备及红外吸收光谱[J].山东大学学报(自然科学版),1997,32(2):171-173. |
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作者姓名: | 程兴奎 王家俭 |
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作者单位: | [1]山东大学光电材料与器件研究所 [2]山东大学物理系 |
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摘 要: | 报导了由射频溅射制备稀土硅化物薄膜,样品的红外吸收光谱中,在865cm^-1有一个强吸收峰,而在462cm^-1有一个弱吸收峰。样品进行了高温退火后,强吸收峰基本没有变化,而弱吸收峰随退火温度的升高而增强,我们认为强吸收峰是YSi2的键振动吸收,而弱峰是YSi的键振吸收。
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关 键 词: | 稀土硅化物 制备 红外吸收光谱 射频溅射 |
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