电子束蒸发a－Si_（1－x）Cr_x薄膜的电导特性研究

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ_（１－ｘ）Ｃｒ_ｘ的变温电导特性。实验结果表明，ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０－７增大到７．２×１０－１Ω－１·ｃｍ－１；在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电，Ｃｒ３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ引人的结构无序是决定薄膜电导特性的主要因素。     

HDB_n、MHDB_n和CHDB_n码的编译码电路设计

本文对HDBn,MHDHn和CHDBn码的编译码电路进行了系统的逻辑设计,其中HDB_3的编译码电路(图2和5)已经过实验检验。     

锗合金扩散晶体管负阻特性的研究

兰大技革组已从实验上发现,只要时3AG63锗合金扩散晶体管进行适当地脉冲“处理后”,它的Ⅰ-Ⅴ特性就具有典型的负阻特性。文中探讨了这种负阻现象的物理机理,借用电子计算机求解了热—电传导方程式,所得结果同实验一致。     

对硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn特性的研究

本文对掺Mn的硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2样品,进行了电导率与温度关系、ESR信号和X衍射强度曲线的测量,并研究了Mn杂质对非晶态半导体导电和结构的影响。     

埋入SiO2薄膜中纳米Si的Raman散射和室温可见光致发光

1990年英国人Canham报道的多孔硅室温可见光致发光,显示了Si材料在光电子技术方面的潜力,这为全Si光电子电路的实现带来了曙光,使人们受到了极大鼓舞.近几年人们对多孔Si的研究已经非常深入,尽管目前还没有统一的模型能解释全部实验结果,但是可以肯定的是,从扫描隧道电镜观察到多孔Si是具有2～5nm尺寸的纳米微粒,这种低维的纳米微粒是获得可见光发射的主要原因.目前多孔Si多用湿法制备,性能不稳定,电接触方面存在困难,严重限制了它的应用.因此,探索制备有纳米结构的Si及Si基合金以获得强的可见光发射,具有极重要的意义.     

电子束蒸发的α—Si1—xCOx薄膜的光吸收特性

研究了电子束蒸发的掺过渡金属Co的非晶硅基薄膜α-Si_(1-x)Co_x的光吸收特性,结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外长波的吸收特性影响灵敏.0.10at%相似文献   

PCM30/32系统用双通道运算放大器的研制和特性分析

本文介绍了用于PCM~(30)/32端机编码器的双通道运算放大器电路和特性分析,其电压增益约为100db,单位增益带宽约为100MHZ。零点漂移约为1my;所得实验结果,同理论一致。     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的电导特性研究

本研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘＣｒｘ的变温电导特性。实验结果表明，Ｘ≤１０ａｔ％的组分范围内，室温电导率由８．７×１０＾－６增大到７．２×１０＾－１Ω＾－１，ｃｍ＾－１，在２９０Ｋ到５００Ｋ的范围内，薄膜的电导机制为载流子激发到导带扩展态的传导导电和ＥＦ附近的杂质定域态的载流子热激活的跳跃导电。Ｃｒ＾３＋离子在非晶薄膜中的存在形式，它对硅悬挂键的补偿以及掺Ｃｒ     

X射线双晶衍射研究LP－MOVPE生长的InGaAs／GaAs应变超晶格

用金属有机气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格．用Ｘ射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线．结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数．对不同缓冲层的超晶格结构也进行了分析     

电子束蒸发a—Si1—xCrx薄膜的光吸收

本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素Ｃｒ的非晶硅基薄膜ａ－Ｓｉ１－ｘ－Ｃｒｘ的光吸收特性。研究结果表明，这类薄膜的组分变化，对近红外长波的吸收特性影响较大，０．１０ａｔ．％＜ｘ＜２．０ａｔ．％的组分变化区，是薄膜光吸收特性变化的灵敏区。在研究的组分范围内，薄膜的光学带隙随Ｃｒ组分的增大而变窄，由１．５０ｅＶ（ｘ＝０）减小到０．８４ｅＶ（ｘ＝１０．０ａｔ．％）。薄膜对不同波长的入射波，其吸收系数ａ有