Co—Ta—O颗粒膜的磁电阻效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列Co-Ta-O介质颗粒膜，用X射线能量色散谱和X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态，用X射线衍射测量了薄膜的晶体结构，结果表明，Co-Ta-O颗粒膜系是由Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成，通过改变制备条件，研究了测射电压和C成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响，发现磁电阻比值先随Co成分的增加而增加，在Co原子个数比为26％时达最大值，后随Co成分的进一步增加而减小；在Co成分一定的情况下，低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值。     

不连续Fe25Ni75/SiO2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应

用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代表SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3 nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4 nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,lnR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1 nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8 nm)/Fe25Ni75(1.6 nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.     

FeCo-SiO2颗粒膜的磁性和隧道磁电阻效应

利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量ｆｖ的Ｆｅ－ＳｉＯ２金属－绝缘体颗粒膜，系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻（ＴＭＲ）效应，在ｆｖ＝０．３３处得到最大磁电阻值为－３．３％，在同样的制备条件下保持ｆｖ＝０．３３，用Ｃｏ取代Ｆｅ得到一系列的（Ｆｅ１００－ｘＣｏｘ）０．３３（ＳｉＯ２）０．６７的颗粒膜，对其ＴＭＲ的研究发现在ｘ＝５３时得到最大磁电阻值－４．５％，且Ｃｏ对Ｆe的替代基本没有影响     

Fe0.05Sn0.95O2纳米线的微结构、电性和磁性

用化学气相沉积法(CVD)制备了Fe0.05Sn0.95O2纳米线,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和光致发光(PL)等技术研究了样品的微结构和磁性.由XRD测试结果知Fe0.05Sn0.95O2纳米线为四方金红石结构,并且没有观察到Fe和Fe的氧化物的衍射峰.电性测量获得单根纳米线...