界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

谨慎性原则的局限性及其改进

谨慎性原则是企业会计核算中一项重要原则,运用广泛,但谨慎性原则既有其合理的一面,同时也存在着局限性,因此要采取必要措施趋利弊害,使会计信息更具客观性。     

青少年消费者强迫消费行为

本研究的目的在于考查与韩国青少年消费者的强迫购买行为相关的因素.研究抽样调查了319名中学生强迫购买行为的发生几率和受公共政策的影响.自信心不强往往会加大强迫性购买的可能性,青少年的强迫性购买趋向受同龄人、父母、大众媒体和互联网的影响.女生在购买中更可能存在强迫性,而且零用钱的数量和状况也和强迫购买行为紧密相关.从消费者政策的角度来看,这些关系为在学校和社区中发展消费者教育计划提供了启迪和一些真知灼见.     

氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法, 在n型（100）Si基底上沉积了不同厚度（54~124 nm）的纳米氮化硼（BN）薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构为六角BN（h-BN）相(1 380 cm^-1和780 cm^-1)结构. 在超高真空系统中测量了不 同膜厚的场发射特性, 发现阈值电压随着厚度的增加而增大. 厚度为54 nm的BN薄膜样品阈 值电场为10 V/μm, 当外加电场为23 V/μm时, 最高发射电流为240 μA/cm². BN薄膜场发射F-N曲线表明, 在外加电场作用下, 电子隧穿了BN薄膜表面势垒发射到真空.     

X射线Bragg—Fresnel元件中金属吸收层的热变形问题

研究Ｘ射线Ｂｒａｇｇ－Ｆｒｅｓｎｅｌ元件中金属吸收层的热变形问题,给出因Ｘ射线辐射引入的热载荷所产生的金属吸收层衍射图形尺寸膨胀量及金属吸收层热应力的计算结果,探讨Ｘ射线Ｂｒａｇｆｇ－Ｆｒｅｓｎｅｌ元件基底材料的的选择和厚度尺寸与元件在热载荷作用下热变形的。     

中小企业融资难的原因及其解决对策

在融资方面,中小企业与大企业相比,明显处于弱势,融资难是制约我国中小企业发展的一个重要障碍。本文简要分析了中小企业融资难的基本原因,并提出了针对性的解决措施。     

基底偏压对氮化硼薄膜场发射特性的影响

利用射频磁控溅射方法, 在n型（100）Si（0.008～0.02 Ω·m）基底上沉积了氮化 硼（BN）薄膜. 红外光谱分析表明, BN薄膜结构均为六角BN（h-BN）相. 在超高真空系统中 测量了BN薄膜的场发射特性, 发现BN薄膜的场发射特性与基底偏压关系很大, 阈值电场随基 底偏压的增加先增加后减小. 基底偏压为-140 V时BN薄膜样品场发射特性要好于其他样品, 阈值电场低于8 V/μm. F~N曲线表明, 在外加电场的作用下, 电子隧穿BN薄膜表面势垒发射 到真空.     

Al-AlN纳米粉在空气中热处理产物的结构与形貌分析

利用 Ｘ 射线衍射光谱（ Ｘ Ｒ Ｄ）和透射电子显微镜（ Ｔ Ｅ Ｍ ）对 Ａｌ Ａｌ Ｎ 纳米粉在空气中不同热处理条件的产物结构与形貌进行分析． 结果表明， 原料的结构及加热过程是决定产物性质的主要因素．     

X射线Bragg-Fresnel元件中金属吸收层的热变形问题

研究 X射线 Bragg- Fresnel元件中金属吸收层的热变形问题 .给出因 X射线辐射引入的热载荷所产生的金属吸收层衍射图形尺寸膨胀量及金属吸收层热应力的计算结果 .探讨 X射线 Bragg- Fresnel元件基底材料的选择和厚度尺寸与元件在热载荷作用下热变形的关系