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本文介绍了VVMOSFET和NMOSFET单片集成时阈值电压容差的理论估算和工艺试验结果,二者符合得较好.结果指出,即使用常规工艺制造技术把VVMOS功率晶体管相容集成到NMOS电路中去亦是可能的. 相似文献
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利用测试结构,在等温变湿及等湿变温条件下测量SiO_2表面电导率。由这些实验结果推导出SiO_2表面电导率的温度、湿度数学模型及其加速因子。 相似文献
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利用测试结构,在等温变湿及等湿变温条件下测量SiO_2表面电导率。由这些实验结果推导出SiO_2表面电导率的温度、湿度数学模型及其加速因子。 相似文献
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用薄层电阻比评估VLSI互连金属薄膜可靠性 总被引：1，自引：0，他引：1
0引言随着电子器件的发展，IC集成度越来越高，按等比例缩小的原则，线条越来越细，电子器件互连金属薄膜的线条所承受的电流密度就越来越大，金属薄膜的电迁移失效又成为WHI迫切需要解决的问题之一。为控制和减少由于电流密度增加造成的电迁移失效现象，增加导电薄膜的载流容量，可完善互连金属薄膜的组成、热导性和其结构、品质。薄膜一般采用大颗粒的川一St、AI—St—Cu多晶膜，如用AI、CU单晶膜则更好［‘，‘］材料的电阻率来自于两个主要方面：电子的热散射（热电阻率PT）和电子从晶格缺陷、晶粒间界和表面的散射（剩余电阻率P… 相似文献
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本文介绍了用测试结构做的Ａｌ－Ｓｉ（１％）互连线的电迁移加速寿命试验。加速温度为１７５℃，电流密度为１－３×１０６Ａ／ｃｍ２。观察到线条的不同几何因素（长、宽、厚），不同的溅射工艺和钝化层，以及氧化层台阶都对电迁移寿命有显著的影响。对实验结果作了初步的分析和讨论。 相似文献
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