SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。     

用稳态光电导和场效应的联合测量研究Ge的快表面态

文中介绍了用稳态光电导和场效应的联合测量以研究Ge的快表面态的实验方法。用这方法可以得到表面复合速度和表面态陷阱电荷密度与表面势的依赖关系,从而可以确定出快表面态的特征参量(能极位置,能级密度及对空穴和电子的俘获截面)。本文对经硫化处理的Ge表面电学性质进行了测量,结果指出,存在三组分立的快表面态: Et_1-Ei=4kT Et_2-Ei=1.4kT Et_3-Ei=-3.6kT其密度均在10~(11)/厘米~2以上,并对实验结果作了讨论。