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1.
PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析
徐俊明
江若琏
刘青淮
王凯
郑有炓
《南京大学学报(自然科学版)》
1986,(4)
本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。
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