He-N_2碰撞体系相互作用势及微分散射截面的研究

作者运用量子化学从头计算方法,在MP2/6-311++G(3df,2p)水平下,计算了He-N2相互作用的势能表面,构造了He原子与N2分子相互作用的各向异性势函数,用密耦方法计算了He原子与N2分子碰撞的微分散射截面,计算结果与实验数据符合较好.     

He-HBr碰撞体系各向异性相互作用势及微分散射截面的研究

基于在CCSD(T)/aug-cc-p VQZ理论水平下计算的He-HBr相互作用能数据,尝试用Huxley解析势函数构造了He原子与HBr分子相互作用的各向异性势模型;然后采用精确的量子密耦方法计算了碰撞能量为200 meV时,He原子和HBr分子碰撞的微分截面,获得了该碰撞体系的弹性微分截面和态-态转动激发微分截面随散射角变化的规律.研究表明:构造的势模型较好地描写了He-HBr系统相互作用的各向异性特征,对进一步研究原子与分子的相互作用有一定的参考价值.     

He-HF碰撞体系转动激发截面的理论研究

运用密耦近似方法计算了能量在100meV下He原子和基态HF分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150meV,200meV,250meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。系统研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分。     

一个新混沌系统及其动力学分析

提出了一个新的三维自治混沌系统,具体分析了其基本动力学特性,得到了系统Lyapunov的指数和维数,通过数值模拟,给出了系统仿真图,Poincare'映射图,Lyapunov指数谱,重点分析了不同参数变化对系统动力学行为的影响。数值模拟证实了其不同于其他混沌系统的拓扑结构。     

一种等级晶格上S4模型的临界性质

应用实空间重整化群和累积展开的方法, 研究外场中一种等级晶格上S⁴模型的相变和临界性质, 求出系统的临界点和临界指数. 结果表明, 该系统存在一个Gauss不动点和一个Wilson-Fisher不动点, 与特殊钻石型等级晶格上的S⁴模型相比, 系统的临界点和临界指数均发生变化, 表明二者属于不同的普适类.      

利用实积分证明Cauchy积分公式

本文利用实变函数积分中值定理,结合Cauchy积分定理在复围线推广形式,用实变函数积分的方法证明了复变函数论中的Cauchy积分公式。证明过程简单易懂。     

Ne-HF散射的非弹性分波截面

利用非线性最小二乘法拟合在CCSD（T）／aug-cc-pVQZ理论水平下计算的分子间相互作用能,得到了基态Ne-HF复合物势能面的解析表达式．在此基础上,采用量子密耦方法计算了入射能量分别为60,75,100和150meV时,Ne原子与HF分子碰撞的分波截面,详细讨论了长程吸引和短程各向异性相互作用对非弹性分波截面的影响．结果表明：（i）势能面的长程吸引阱对低激发分波截面,特别是j=0→j′=1跃迁的尾部极大有重要贡献,而对j′≥3的非弹性跃迁截面没有贡献．（ii）短程（排斥和吸引）相互作用对低激发分波截面,特别是j=0→j′=1,2跃迁的主极大有重要贡献．对j′≥3的跃迁,短程相互作用在非弹性激发中起着关键作用．（iii）尽管不同碰撞能量时,非弹性分波截面的极大值和极小值对应的位置不同,但它们分别对应于几乎相同的碰撞参数．     

用几何画板研究带电粒子在复合场中的摆线运动

以一道高考物理试题为原型,建立了带电粒子在复合场中运动的参数方程,讨论了不同初始条件对带电粒子运动轨迹形状的影响。为了使带电粒子的运动过程更加直观,使用《几何画板》软件描绘了各种典型情况下的运动摆线,并用物理方法导出了摆线曲率半径的普遍公式。     

一种等级晶格上Gauss模型的临界性质

应用实空间重整化群的方法,研究了外场中一种等级晶格上Gauss模型的相变和临界性质,求出了系统的临界点和临界指数.结果表明,此系统存在一个临界点,与特殊钻石型等级晶格上的Gauss模型相比较,系统的临界指数发生了变化.     

氦同位素被氟化氢散射角分布的计算

用密耦方法计算了碰撞能量分别为20和86 meV时,3He,4He,6He和9He被HF分子散射的角分布,总结了氦同位素原子对He-HF散射角分布的影响.计算结果表明:在同一入射能量下,随着入射氦同位素原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;He同位素原子与HF分子碰撞发生的彩虹现象越明显.