He-HBr碰撞体系转动激发截面的研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分.     

利用密耦法对惰性元素原子与双原子分子转动激发截面的理论研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在64.0meV下,He原子和基态N2分子碰撞的态-态转动激发微分截面和入射能量分别在27.3meV,40.0meV,64.0meV和80.0meV下的弹性、非弹性和总微分截面;总结了该碰撞体系微分散射截面的变化规律.研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,转动激发非弹性散射主要发生在大角部分.     

He-HBr碰撞体系各向异性相互作用势及微分散射截面的研究

基于在CCSD(T)/aug-cc-p VQZ理论水平下计算的He-HBr相互作用能数据,尝试用Huxley解析势函数构造了He原子与HBr分子相互作用的各向异性势模型;然后采用精确的量子密耦方法计算了碰撞能量为200 meV时,He原子和HBr分子碰撞的微分截面,获得了该碰撞体系的弹性微分截面和态-态转动激发微分截面随散射角变化的规律.研究表明:构造的势模型较好地描写了He-HBr系统相互作用的各向异性特征,对进一步研究原子与分子的相互作用有一定的参考价值.     

Ar-HCl体系各向异性相互作用势及转动激发微分截面的理论研究

首先用gaussion03程序在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的Ar-HCl相互作用能数据,得到了Ar原子与HCl分子各向异性相互作用势;并与HWK势进行比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法计算了Ar-HCl碰撞体系能量在100meV下Ar原子和HCl分子碰撞的转动激发微分截面,总结了该碰撞体系非弹性微分散射截面的变化规律。     

氦原子与氮分子体系转动激发截面的理论计算

利用密耦近似方法对He－N2碰撞体系的微分截面、分波截面进行了量子力学计算，研究表明：低能散射时，He－N2碰撞的弹性散射主要在小角部分，而非弹性转动激发主要发生在大角部分，并通过系统的研究和计算，发现了分波散射截面不同的能量下的变化规律。     

He同位素与HCl碰撞分波截面的理论计算

采用Huxley势函数拟合得到He-HCl较为可靠的相互作用势,使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为80meV时,氦原子的三种同位素3He,4He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面。通过分析各碰撞体系分波截面的差异,探讨了He(3He、4He、10He)-HCl碰撞体系的弹性分波截面00-00,非弹性碰撞转动激发分波截面00-01到00-07,随量子数和体系约化质量的变化规律。     

He同位素与HBr碰撞对分波截面的影响

基于构造的各向异性势,用密耦方法求解散射方程,计算了E=40 meV时3He,4He,5He,6He和7He分别与HBr分子碰撞的弹性和非弹性分波截面,详细讨论了氦同位素原子对分波截面的影响.结果表明:对给定的碰撞能量和确定的碰撞体系,激发分波截面比弹性分波截面收敛快;激发态越高,截面收敛越快;尾部效应仅在弹性散射和低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应.随着氦同位素原子质量的增大,弹性分波截面和态-态激发分波截面收敛速度变慢,收敛需要的分波数增多.     

He—BH碰撞体系分波截面及电荷分布的研究

用密耦近似方法计算了入射能量分别为25meV、75meV、125meV和150meV时,He原子与基态BH分子碰撞的分波截面。计算结果表明：在总分波截面尾部效应极大值对应的碰撞参数附近,径向偶极发生转向;总分波截面最大峰的位置几乎对应于He原子具有最大负电荷的位置。     

Ar与HF的相互作用势及分波截面的研究

通过单双取代并加入三重激发项校正的二次组态相互作用(QCISD(T))方法,采用aug-cc-pVTZ基组完成对Ar-HF分子间相互作用势进行全空间扫描,使用Boys和Bernardi提出的counterpoise method,在计算的基础上消除基组重叠误差,得到更为准确的碰撞系统势能面情况.采用Huxley势函数拟合得到Ar-HF较为可靠的相互作用势,进而对Ar与HF的相互作用势进行探讨.使用精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50meV和100meV时,Ar与HF的分波截面,弹性分波截面00-00,以及非弹性碰撞激发分波截面00-01,00-02,00-03等,得到Ar-HF碰撞系统分波截面随量子数和入射能量变化的规律.     

不同能量Kr原子与同位素分子H_2(D_2,T_2)碰撞分波截面的理论计算

用Tang-Toennies势模型和密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子Kr与H2及其同位素D2,T2″替代碰撞体系的转动激发碰撞截面.结果表明,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响。     

氦同位素被氟化氢散射角分布的计算

用密耦方法计算了碰撞能量分别为20和86 meV时,3He,4He,6He和9He被HF分子散射的角分布,总结了氦同位素原子对He-HF散射角分布的影响.计算结果表明:在同一入射能量下,随着入射氦同位素原子质量的增加,总微分截面在0°时的角分布逐渐增大;同一级衍射振荡极小值位置逐渐向小散射角方向移动;He同位素原子与HF分子碰撞发生的彩虹现象越明显.     

He-HF碰撞体系相互作用势模型的理论研究

根据在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的He-HF相互作用能的数据,作者用Murrell-Sorbie势函数形式构造了He原子与HF分子相互作用各向异性的势模型,并与其它势模型进行了比较;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法,计算了He-HF碰撞体系的微分散射截面,计算结果与实验结果符合较好.研究表明,作者所构造的势模型不但表达形式简洁,而且能较好地描写He-HF系统相互作用的各向异性特征;利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题.对进一步研究原子与分     

用复合势模型研究电子对原子的散射

构造了一种简化的电子与原子碰撞的复合势原子模型,并结合势能独立性原理的思想,研究了中等能量电子对原子的散射,得出了电子受原子散射的各种截面的理论计算公式,探索性地将独立性原理方法应用于电子与原子的碰撞截面的计算.应用复合势模型编程计算了电子被氦原子散射的总散射截面,计算结果与实验数据较符合.     

He-N_2碰撞体系分波截面的理论计算

运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。     

HF-He相互作用势及碰撞截面的研究

作者首先拟合出了ＨＦ分子与Ｈｅ原子的相互作用势,然后用密耦方法计算了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系两种势能的散射截面,并比较了不同势能下的散射截面,研究了ＨＦ－Ｈｅ碰撞体系散射截面的变化规律。     

非共面对称不等能几何条件下电子离化He的(e,2e)反应

运用修正后的BBK理论计算了入射能为64.6eV非共面对称不等能几何条件下,电子入射离化氦原子的三重微分截面,计算结果与实验结果进行比较发现两者符合的较好。从碰撞的微观机理上分析了影响出射电子角分布的原因。     

氦-氢分子相互作用势对He-H_2碰撞激发截面的影响

使用Tang-Toenn ies势模型的两种形式通过密耦近似方法计算了惰性气体He与H2碰撞的弹性和转动激发散射截面及微分散射截面,原子入射能量分别为0.05 eV~0.65 eV,对计算结果进行分析比较。