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1.
石墨浆做背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱表征
何绪林
张静全
冯良桓
武莉莉
李卫
曾广根
雷智
黎兵
郑家贵
《中国科学:技术科学》
2010,(12):1509-1513
本文测试了掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池的导纳谱,计算得到电池中存在的影响电池性能的缺陷能级及其俘获截面.掺杂石墨浆作背接触层的CdTe薄膜太阳电池中存在三个缺陷能级,其位置Et-Ev分别约为0.34,0.46和0.51eV,对应的俘获截面分别为2.23×10-16,2.41×10-14,4.38×10-13cm2.
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