“红姑娘”

故乡有一种野生植物,它有一个动人的名字,叫做“红姑娘”。它的果实像一个淡绿色的小灯笼,把那小灯笼打开,里面便有一粒红溜溜的果实,圆得和珍珠一样,红得像珊瑚一般,唤它作红姑娘,也可能就是由于这些特色吧!     

我的艺术生涯

艺术家的梦想随着我年龄的增长变得越来越清晰,我要出人头地!艺术家享有非常清闲的职业。他不必强迫自己工作,也毋须为生计奔忙。他不必很有钱,没钱的时候他可以一心一意为艺术献身;有钱的时候他会在海边的悬崖上买一座极有情调的大屋,然后,和经常变换的情人一起享受悠长的假期,积累创作的灵感。他可以在声色犬马中流连到夜深,也可以在重大会议上拂袖而去。他无须为权贵而折腰,但他会(或是将会)有大批的追随者,他既不染指政治,也不涉足商界,但他会为社会不平之事大声呐喊。他热爱和平,热爱一切美好的事物。如果他病了,他会与病魔斗争到最后,…     

介质阻挡放电中Ar—Hg等离子体辐射的研究

研究了碰撞、辐射、原子和分子的计算模型（ＣＲＡＭ）模型介质阻挡放电中Ａｒ－Ｈｇ等离子体的动态特性。在本模型中，不仅考虑了汞原子内部能级的跃迁，也考虑了准分子的形成过程。从介质阻挡放电等离子体的非平衡特性出发，对等离子体的演化全过程进行了模拟。在发展了一种新的处理电子、离子复合方法的基础上，得到了Ａｒ－Ｈｇ等离子体的演化规律。此外，还研究了汞原子的共振辐射及准分子辐射强度与电源频率和管壁温度的关系。     

渐近线性二阶Hamilton系统的非平凡周期解

利用极小极大方法得到了一类渐近线性二阶Hamilton系统的非平凡周期解的存在性结果。     

南沱冰期锰矿的起源和时代

震旦纪南沦冰期锰矿保存了古海洋化学的宝贵信息,是南沱冰期沉积地层中不可多得的研究对象.它们的起源和形成时代对于探讨晚元古代末期全球发生的巨大地质变化及确定地层时序标准具有重要意义.但长期以来对此一直有不同的看法.本文试图通过对南沱组锰矿的元素地球化学测定和Sm-Nd法定年,对此进行探讨.     

经砷诱导人肝细胞L02获得砷耐受性的研究

砷是自然界普遍存在的毒性较强的类金属元素。几乎所有生物在进化中都产生了对砷毒性的耐受性。生物体对砷的耐受机制受到广泛关注。本实验采用低剂量(4μmol／L)NaAsO2诱导人体正常肝细胞株LO2,利用噻唑兰检测法(MTT)计算细胞生存率及半数致死量反映细胞对砷耐受性的改变，结果发现低剂量砷诱导6周后，在48h急性砷中毒试验中，实验组LC50为23．0μmol／L，对照组为11．9μmo1／L，实验组明显高于对照组，说明细胞对急性砷中毒耐受性明显提高。     

常用油管钢的CO_2局部腐蚀速率

通过模拟国内某油田腐蚀环境中的高温高压试验,研究了N80,P105,SM110油管钢的局部腐蚀速率·结果表明,N80,P105和SM110油管钢均表现出了较高的腐蚀速率·在影响局部腐蚀速率的各个因素中,流速和油水比对局部腐蚀速率的影响最明显,对比N80钢,含水100%的腐蚀速率比含水30%及70%时高出15倍及5倍以上·P105和SM110钢也如此,P105钢变化最大,含水100%时腐蚀速率比含水30%时高出50倍·CO2分压和氯离子浓度也会在一定程度上影响油管钢的局部腐蚀的趋势·     

超级13Cr不锈钢的钝化膜耐蚀性与半导体特性

利用极化曲线和Mott-Schottky曲线,研究了超级13Cr马氏体不锈钢在100、130、150和170℃且含CO2和Cl-的腐蚀介质中浸泡7 d所形成的钝化膜的电化学行为和半导体性质.同时应用光电子能谱表面分析技术分析了超级13Cr钝化膜中的元素价态.结果表明,超级13Cr马氏体不锈钢经腐蚀过后形成的钝化膜表层中Mo和Ni以各自硫化物的形式富集,而Cr以Cr的氧化物的形式富集.在100℃和130℃形成的钝化膜具有良好的耐蚀性,而在150℃和170℃形成的钝化膜耐蚀性下降.产生这种现象的原因与表面钝化膜的半导体性能密切相关,在100℃和130℃中形成的钝化膜具有双极性n-p型半导体特征,且随着温度升高掺杂数量增多,而150℃和170℃介质中形成的钝化膜为p型半导体,故随着温度升高,超级13Cr马氏体不锈钢的耐蚀性能下降.     

2010年7月8日英山特大暴雨过程的成因分析

利用GFS(0.5°×0.5°)6 h再分析资料、LAPS资料以及FY-2c卫星云图资料、武汉区域雷达拼图产品和自动站实时资料,对2010年7月8日发生在英山的特大暴雨过程进行了分析.结果表明:控制湖北地区的副高南退时,副高外围东移的短波槽引导北方冷空气下滑是此次过程的触发机制;低层切变、低空急流、露点锋和地面辐合线引起了低层辐合、中层辐散、低层θse锋生及中上层θse锋区下移,提供了有利的动力条件;750～1 000 hPa的高湿区是水汽条件;温度槽温度脊的配合、对流有效位能的持续增加和湿位涡上正下负的配置为此次过程提供了不稳定能量.     

天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究

采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品. 通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小. 当退火温度达到 700 ℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱. 采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质. 薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的