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天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究
引用本文:范立伟,卢铁城,敦少博,胡又文,陈青云,胡强,游草风,张松宝,唐彬,代君龙.天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究[J].四川大学学报(自然科学版),2011,48(3):651-654.
作者姓名:范立伟  卢铁城  敦少博  胡又文  陈青云  胡强  游草风  张松宝  唐彬  代君龙
作者单位:1. 四川大学物理学院辐射物理与技术教育部重点实验室,成都,610064
2. 四川大学物理学院辐射物理与技术教育部重点实验室,成都,610064;中国科学院国际材料物理研究中心,沈阳,110015
3. 四川大学物理系和高能量密度物理与技术教育部重点实验室,成都,610064
4. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900
基金项目:国家自然科学基金委员–中国工程物理研究院联合基金(10376020)
摘    要:采用离子注入法及退火工艺,在硅基二氧化硅薄膜中制备了镶嵌结构的天然Ge纳米晶样品. 通过退火实验研究,发现随着退火温度的升高,纳米晶的晶态峰峰位红移,这意味着Ge纳米晶受到的应力减小. 当退火温度达到 700 ℃时,纳米晶的晶态峰强度显著增强,而且薄膜中与Ge有关的缺陷发光减弱. 采用中子嬗变掺杂法对天然Ge纳米晶进行了掺杂,X射线荧光光谱数据表明,样品中成功的引入了Ga杂质和As杂质. 薄膜中形成的与Ge有关的缺陷具有稳定的结构,中子辐照之后其发光仍然存在,而且,掺杂后的样品中没有发现与Ga或As有关的

关 键 词:天然Ge纳米晶  中子嬗变掺杂  拉曼光谱  X射线荧光光谱

The preparation of natural Ge nanocrystals in SiO2 film and neutron transmutation doping
FAN Li-Wei,LU Tie-Cheng,DUN Shao-Bo,HU You-Wen,CHEN Qin-Yun,HU Qiang,YOU Cao-Feng,ZHANG Song-Bao,TANG Bin,DAI Jun-Long.The preparation of natural Ge nanocrystals in SiO2 film and neutron transmutation doping[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2011,48(3):651-654.
Authors:FAN Li-Wei  LU Tie-Cheng  DUN Shao-Bo  HU You-Wen  CHEN Qin-Yun  HU Qiang  YOU Cao-Feng  ZHANG Song-Bao  TANG Bin  DAI Jun-Long
Abstract:
Keywords:
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