背面引线压力／氢离子敏传感器的研究

报道了一种含微参比电极的差分结构，并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应（ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规Ｎ阱ＭＯＳ工艺，研制成集成压力／ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器，设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统，经实际工艺流水制成了样管，初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。     

Zn2SnO4复合氧化物气敏特性研究

采用烧结法合成Zn_2SnO_4复合氧化物,具有反尖晶石结构的弱N型半导体材料,其气敏性能引人注目,尤其是对乙醇具有较高的灵敏度和选择性.当掺入少量氧化物杂质,可以看到灵敏度和最佳工作温度都有所改善,其中以稀土氧化物效果为最佳.     

新型微流通池pH-ISFET集成传感器的研制

报道了一种新型微流通池pE-ISFET集成传感器,该集成传感器采用常规IC工艺、微加工技术和键合技术,实现微流通池、四对长臂式ISFET/REFET传感器(差分测量用)和Ti/Au膜伪参考电极芯片一体化结构,芯片面积为8mm×6mm,微流通池体积为0.7mm×5.0mm×0.3mm,当集成传感器外部配上蠕动泵、注入阀和测量电路则构成微流通池pH-ISFET流动注入分析(FIA)系统。实验结果表明,该集成传感器和FIA系统具有响应快、耗样液量少等特点,且稳定性和可靠性大为提高。     

绒面背场硅太阳电池

本文报道一种转换效率高、工艺简便、成本低的太阳电池——绒面背场硅太阳电池。在AM1.5条件下,利用废次复拉单晶硅制作的直径为60mm 的园片电池,转换效率可达14.4%(全面积转换效率).这种结构的太阳电池国内尚未见报道。