新型复合电接触材料的开发研究

报导了一种新型电 研究开发成果。在目前普遍使用的银碳化钨－石墨体接触材料的基础上，添加适量的碳化钛，并采用化学包覆技术在添加物粉体的表面全量镀银制成Ａｇ８０（ＷＣ７０ＴｉＣ３０）１７Ｃ３（重量百分比）复合粉末，经粉末冶金工艺制成新型复合电接触材料。测试表明，该材料具有较好的综合性能，并较原有的银基复合电接触材料节银达５％。该材料已制成元件装配在开关上，并通过了开关试验，表明该材料已具有实用价值。     

发射光谱法测定复合型电接触材料的成份

本文报道了采用固体稀释处理后，以摄谱法成功地分析了新型复合电触头材料粉体 Ａｇ８０（ Ｗ Ｃ７０ Ｔｉ Ｃ３０）１７ Ｃ３ 中主成份银、钨、钛的含量．其相对偏差为０．２６％ ，摄谱法本身的标准偏差为 ０．２９４．文中还对由于对试样进行固体稀释处理而可能引入的误差，进行了计算机模拟分析     

Ag80(WC70TiC30)17C3银基电接触材料化学镀的反应动力学

探讨银基电接触材料化学镀银反应过程中的动力学,利用酸度计测量反应过程中的pH值,从而直观地表示了化学镀银反应的速率.通过研究pH值随时间的变化规律,推导出了化学镀银反应动力学方程c=c₀e^-kt及反应的活化能E_a.     

含钌氧化物靶的制备与电性能测试

本文报导了以水合ＲｕＯ２为原料而采用固相反应、烧结工艺制备脉冲激光沉积用ＲｕＯ２、ＢａＲｕＯ３、ＳｒＲｕＯ３靶材的工艺。首次报导了烧结的ＢａＲｕＯ３多晶材料的导电特性在室温附近由半导体向金属转变。     

在600℃封闭系统中Hg0.8Cd0.2Te的热处理

采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg_0.8Cd_0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法^[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_0.8Cd_0.2Te中汞空位扩散系数D_L为2×10⁵微米²/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_i为5×10¹⁹·厘米^-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.     

XRD对WC包银技术的研究

本文主要以Ｘ射线衍射物相分析的基本原理，对用复合材料（Ａｇ－ＷＣ－Ｃ）替代电接触材料，在包银技术中，包覆银程度及游离银存在状态的研究，成功地改善了用葡萄糖作还原剂进行化学镀的工艺实验过程．     

国产硅太阳电池参数的研究

为了研究影响转换效率的因素,对国内有关工厂提供的硅太阳电池片进行了分析研究.