界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.     

对广东风华高新科技股份有限公司研究院的调查

在短短一年的时间里,省委常委、副省长李鸿忠两次视察了广东风华高新科技股份有限公司研究院(以下简称“风华研究院”),听取了研究院的汇报,详细了解了研究院的发展情况,称赞他们是全省企业研究院的一面旗帜。《西江日报》也以《风华研究院硕果累累》为题,在头版显著位置报道了研究院在研究开发中取得的辉煌战果。原市科委主任认为,风华研究院的特点可以归纳为五句话,这就是:方向明、路子对、机制活、转化快、效益好。     

明确思路突出重点优化服务--肇庆市发展高新技术产业浅析

肇庆市在国家和省科技部门的指导和大力支持下,从自己的实际出发,组织实施火炬计划,大力发展高新技术产业,取得了可喜的成绩。现在,全市共有68个项目列入了国家级和省级火炬计划项目,其中国家级33项,国家级重点项目2项。全市经省认定的高新技术企业已达36家,国家火炬计划重点高新技术企业4家。     

HPLC法同时测定氨咖黄敏胶囊中三种成分

建立同时测定氨咖黄敏胶囊中对乙酰氨基酚、咖啡因、马来酸氯苯那敏含量的HPLC法.色谱柱为Agilent ZORBAX SB-C18(150 mm×4.6 mm,5μm);流动相为磷酸二氢铵溶液(取0.1 mol/L磷酸二氢铵溶液1 000 mL,加磷酸1 mL,混匀)-乙腈(82:18),流速为1.0 mL/min,检测波长为216nm,柱温27℃.线性范围为对乙酰氨基酚2.020～ 25.245 μg,r=0.999 6;咖啡因0.099～1.240 μg,r=1.000 0;马来酸氯苯那敏0.020 ～0.256 μg,r=1.000 0;平均回收率:对乙酰氨基酚97.1％,RSD=0.78％;咖啡因99.2％,RSD=0.70％;马来酸氯苯那敏98.6％,RSD =0.89％.本方法简便、快速、准确,可更好地控制氨咖黄敏胶囊的质量.     

反对雇佣思想 提倡共产主义劳动态度

我们社会主义的中华人民共和国,已经走过了三十四年的光辉历程。我国公有制的生产关系,也经受了四分之一世纪的严峻的考验,与之相适应的分配关系,即“各尽所能,按劳分配”的社会主义原则,在与“左”的和右的错误倾向的斗争中,挣脱羁绊,日益显示出它的客观必然性和巨大的能动性,在我国的经济生活中发挥着越来越大的作用。但是,我们也看到,现实生活中仍然存在着用雇佣思想和平均主义的态度对待“各尽所能,按劳分配”原则的现象。这就要求我们,很有必要在当前结合各个方面的改革,正确宣传和坚决执行“各尽所能,按劳分配”的原则,继续在人民群众中进行反对雇佣思想和提倡共产主义劳动态度的教育,以保证社会主义现代化建设沿着正确的方向前进。     

非重点高中学生的非智力因素与学习

人的学习过程，是一个智力和非智力相互影响，而又以非智力因素起决定作用的过程。通过对非重点高中部分学生化学成绩编低的成因研究，把非重点高中和重点高中学生的非智力因素的差距进行对比，找出了非重点高中学生非智力因素的不足。其旨在不单纯是为了提高学生本学科的成绩，更重要的是以此为切入点来提高学生的非智力因素。     

非重点高中学生的非智力因素与学习

人的学习过程 ,是一个智力和非智力相互影响 ,而又以非智力因素起决定作用的过程。通过对非重点高中部分学生化学成绩编低的成因研究 ,把非重点高中和重点高中学生的非智力因素的差距进行对比 ,找出了非重点高中学生非智力因素的不足。其旨在不单纯是为了提高学生本学科的成绩 ,更重要的是以此为切入点来提高学生的非智力因素     

高围长结构化LDPC码的构造方法

提出了一种高围长结构化低密度校验码的构造方法。首先介绍了以准循环技术为基础的高围长结构化规则LDPC码的构造方法,并在此基础上构造了重复累加结构的准规则LDPC码和非规则LDPC码。仿真结果表明,用这种方法构造的规则码和非规则码都具有优良的性能,特别是非规则码的性能优于DVB-S2的非规则码。并且采用该构造方法可以构造各种码长和码率的LDPC码,适应不同领域的应用。     

厨房设计中的若干问题研究

厨房是当今社会人们生活的一个重要空间,也是度量人们生活水平与质量的一个重要标志与窗口.本文将通过对现代厨房设计中存在的问题,作具体的分析,并提出合理的解决方案.     

磁控弧光放电增强等离子体离子镀合成c－BN薄膜

采用能产生高密度等离子体的磁控弧光放电增强等离子体离子镀的方法，制备立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）薄膜．