42CrMo钢离子氮化—沉淀强化组织结构的研究

研究了42CrMo钢离子氮化—沉淀强化的组织结构,结果表明,离子氮化层的组成为ε、r＇a_N、Fe_3C和少量Cr_2N、Mo_2N、CrMoN_x及a";经时效处理后,ε相和a_N相弥散析出Cr_2N、Mo_2N和a" 。325℃时效,CrMoN_x消失;500℃时效,Mo_2N大大减少。a"、Cr_2N和Mo_2N弥散共格析出,必将使氮化层强化。     

DrugFET的研究（XⅢ）：四苯硼钠一烟碱FET的研制与应用

本文将离子敏感场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）与药物敏感膜相结合,研制成一种药物敏感场效应晶体管传感器（ＤｒｕｇＦＥＴ）。用四苯硼钠为电活性物质,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂,制成ｐｖｃ膜,对烟碱的线性范围为１．０×１０－２～２．０×１０－５ｍｏｌ／Ｌ,斜率为５７．５ｍｖ／ｐｃ,适宜ｐＨ范围为５．５～８．０,检出限为１．０×１０－６ｍｏｌ／Ｌ。用该传感器分析烟草中烟碱的含量,结果和分光光度法相一致。     

稠密等离子体中类锂铝的原子结构研究

等离子体中原子结构的研究对于等离子体诊断和天文学观测有着非常重要的参考价值.本文采用MCDF方法结合离子球模型研究了稠密等离子体对类锂铝离子的能级和跃迁参量(跃迁能、跃迁几率和振子强度)的影响情况.随着等离子体屏蔽强度的不断增强,上述原子结构参量变化如下:1s22p (2 P_(1/2,3/2))的能级不断升高,但1s23s(2S1/2)、1s23p (2 P_(1/2,3/2))和1s23d(2 D3/2,5/2)的能级却不断降低;不同主量子数间的跃迁对应的跃迁参量均不断减小;除了1s23s(2S1/2)-1s23p(2P_(1/2,3/2))间的跃迁外,同一主量子数间的跃迁对应的跃迁参量均不断增大;1s23s(2S1/2)-1s23p(2P_(1/2,3/2))的跃迁参量均先增大后减小;在跃迁的精细结构中,ΔJ=1对应的跃迁几率和振子强度较大,而ΔJ=0的则相对较小.     

退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究

本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.     

Ion flux dropout observed near dipolarization front

An ion flux dropout near the dipolarization front （DF） at around XGSM =- 11 RE in the Earth＇ s plasma sheet was observed by Time History of Events and Macroscale Interaction during substorms （THEMIS） on March 31, 2009. The ion differential energy fluxes at energies from 450 eV to 150 keV measured by the ESA and SST instruments from THC began to decrease about 2 s before the detection of the DF and reached a local minimum 6 s later. Then, the ion fluxes gradually increased to form a dropout around the DF. The spatial extent of the dropout was about 4,000 km. For energies above 20 keV, the ion fluxes after the dropout are greater than those before it, contrary to the fluxes at energies below 20 keV. The associated ion density variation indicates that the ion flux dropout coincides with the ion density dropout. Taking advantage of multipoint observations, THD, THC, and THE detected the same DF consecutively. Only THC detected an obvious ion flux dropout; THD observed an indistinct one about 2 s before THC; no high-energy （E 〉 30 keV） ion flux dropout was observed by THE. Our study suggests that the ion flux dropout may evolve with the earthward-propagating DF, and its properties can depend on locations relative to the DF.     

光学薄膜镀制技术的对比研究

本文介绍了两种光学镀膜真空淀积技术——离子辅助淀积和反应离子镀,并详述了近年来的应用及进一步的发展。     

背景离子对空气放电特性的影响

本文利用一个能产生稳定的离子浓度的独立的离子源,在被研究的间隙中形成一定的离子背景,用升降法观测了正、负背景离子对棒-板间隙百分之五十击穿电压的影响;测量了正、负背景离子对正棒-板间隙伏秒特性的影响;用截波静止摄影法观测了正、负离子背景对放电通道的形态及先导发展速度的影响。文中对这些观测结果的物理机理给予了解释。     

曲马多PVC膜选择性电极的研制

介绍了一种曲马多ＰＶＣ膜电极。该电极以曲马多——四苯硼缔合物为电活性物质，线性范围为４．０＊１０￣（－５）—４．０＊１０￣（－２）ｍｏｌ／Ｌ，检测下限为１．４＊１０￣（－５）ｍｏｌ／Ｌ，斜率为５９．８ｍＶ／ｐｃ。电极在ｐＨ＝３．０－７．０之间对曲马多的回收率为９６．７％，电极被用于曲马多片剂和针剂中曲马多的含量测定，取得了较为满意的结果。     

碱性介质中钯离子注铁电极上硝基苯的电化学行为

本文研究了Ｆｅ及Ｐｄ／Ｆｅ电极在０．１ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ溶液中的阴极极化行为，通过循环伏安法研究了硝基苯（ＮＢ）在Ｆｅ及Ｐｄ／Ｆｅ电极上的电化学行为，ＮＢ在注钯剂量较大的Ｐｄ／Ｆｅ电极上还原效果较好，最后提出了碱性溶液中ＮＢ在Ｐｄ／Ｆｅ电极上电还原的机理．     

离子注入聚合物介质损耗机理的研究

本文进一步讨论离子注入聚合物具有巨大的介质松弛损耗的形成机理和理论公式.作者首先评论了离子注入聚合物可能形成的损耗机理,在否定现有损耗模型的基础上,根椐霍尔效应对导电载流子的鉴别、介质损耗松弛时间温度关系与电导温度关系的一致性,以及隧道效应作用下,电子运劝具有一定速度的概念.推断介质损耗的形成在于隧道效应作用下,导电粒子之间电子的迁移.按照电子迁移形成极化性概念,考虑到电场作用下电子隧道穿透率的差异,建立极化强度的静态和动态方程,导出离子注入聚合物介质松弛损耗的公式。理论分析得到了实验结果的验证.