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1.
吡喃骨架存在于Warfarin、Oxandrolone、(-)-Penicipyrone等天然产物中,在氧杂环化合物中扮演重要角色.通过单组分,两组分和多组分双环化反应来构建吡喃骨架得到了充分研究.对已有文献进行归纳总结,将为探寻更加绿色高效的吡喃合成新法指明方向. 相似文献
2.
为了制备出不同光电性能的氧化铋薄膜,并明晰其性能机理,以便后续研究与氧化锌薄膜复合成压敏薄膜.采用磁控溅射法,改变溅射气氛中氧气和氩气的流量比,在玻璃衬底上制备出了三个氧化铋薄膜样品,并对其微观形貌、结构及光电性能进行了测试分析.结果表明:溅射气氛中的氧氩流量比对薄膜微结构及光电性能影响显著;不同氧氩流量比制备的Bi2 O3薄膜中均含BiO2和Bi杂相,且随着氧氩流量比由0:40增大至4:36,薄膜中Bi含量减少,BiO2增加;薄膜颜色由黑变黄;沉积速率由14 nm/min减少至12 nm/min;晶粒尺寸增大,表面趋向致密均匀,可见光区透过率由0.25%增加到56.73%;禁带宽度由0增加到3.17 eV;载流子浓度、导电性能急剧降低,调节溅射气氛中氧氩流量比可有效控制氧化铋薄膜的禁带宽度,载流子浓度等,从而获得不同光电性能的薄膜样品. 相似文献
3.
以氩气等离子处理为优化工艺,通过其对ZnO阻变薄膜中氧空位缺陷的影响,来改进ZnO薄膜阻变特性。等离子处理范围减小和处理时间延长有助于阻变特性的稳定,以及阻变工作电压的降低。为了降低阻变工作电压及抑制随机性,最终确定的等离子处理条件是时间不超过45 min,处理范围介于0.8 mm×0.8 mm和0.9 mm×0.9 mm之间。主要的阻变工作电压均在3 V以下,适合低功耗器件应用。并结合处理条件和表面粗糙度等测试结果进行了讨论。 相似文献
4.
硝酸盐是大气中的主要污染物,其前体物NO_x(NO+NO_2)参与大气中多种光化学反应,可以改变大气氧化特性,有利于细颗粒物的形成,影响气候系统与人类健康.硝酸盐氧同位素异常(Δ~(17)NO_3~-)是解析大气硝酸盐生成途径的有力手段.本文对大气硝酸盐氧同位素异常的研究进展进行了综述.首先列举了测试大气硝酸盐三氧同位素(~(16)O, ~(17)O和~(18)O)的前处理方法(热解法、细菌法和化学法),并对比了全球范围内大气硝酸盐氧同位素异常的时空分布特征.其次总结了大气中硝酸盐生成的主要途径及其氧同位素质量守恒,讨论了大气硝酸盐中氧原子的可能来源及其氧同位素异常值,评估了全球及典型区域尺度上氧同位素异常的模型.最后对大气硝酸盐氧同位素异常的未来研究方向进行了展望. 相似文献
5.
以郑州壤质黏土为供试土壤,紫茄为供试作物,设置常规地下滴灌(CK)为对照,研究以循环曝气为增氧方式的增氧地下滴灌(ASDI)对温室紫茄生长及土壤通气状况的影响.结果表明,与CK相比,ASDI处理下15 cm土层E_h最大提高47.92%,D_O最大提高26.95%,而开花期R_s最大提高39.24%,紫茄根长增加23.89%,根系活力提高28.61%,净光合速率、蒸腾速率、气孔导度分别提高11.76%,8.02%,16.67%,叶绿素含量增加7.34%,株高增加22.04%,产量增加25.71%,水分利用效率提高25.82%,作物氮、磷、钾利用效率分别提高55.56%,42.86%,43.75%,且存在显著性差异(P0.05).增氧地下滴灌显著改善了土壤通气状况,促进温室紫茄的生长状况,提高作物水分、养分利用效率,进而可实现作物增产的目的. 相似文献
6.
7.
8.
通过对传统SBR工艺进行改进,将缺氧过程放置在好氧过程前,建立改良型SBR系统,考察其对市政污水的处理效果.运行数据表明,pH、ORP和DO指标可有效反应系统各项污染物指标的变化情况.在不同的运行时序下,系统对COD的去除率较为稳定,平均去除率可达到85%.当厌氧、缺氧、好氧和硝化工序的HRT分别为1、2、0. 5和4. 5 h时,系统对NH_4~+—N、TN和TP的去除率最高可达到96. 1%、81. 1%和98. 2%. 相似文献
9.
通过溶胶-凝胶法制备氟氧钛(TiOF2)花状纳米球,采用X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶红外光谱分析仪(FT-IR)和固体紫外漫反射仪(UV-Vis DRS)等手段对TiOF2花状纳米球进行表征分析,并通过实验探究了不同条件下TiOF2对甲基橙染料废水的光催化降解性能。在300 W氙灯模拟太阳光照射2.5 h条件下,质量浓度0.5 g/L TiOF2光催化剂对初始质量浓度20 mg/L、pH呈中性、体积为100 mL的甲基橙染料废水在20 ℃反应条件下降解效果最佳,催化降解率可达97.3%。此结果说明所制备的TiOF2光催化剂对甲基橙染料废水具有良好的光催化活性。 相似文献
10.
提出一种改进的基于人体静电冲击模型(Human Body Model, HBM)应力的瞬态功率模型。利用HSPICE仿真软件, 模拟MOS管遭受的HBM应力, 得到对应的等效直流电压。HBM电路的预充电电压与MOS管对应的等效直流电压值的散点图表明, 两者保持线性关系, 并通过拉普拉斯变化得到证明。与现有的瞬态功率模型相比, 改进后的模型降低了在HBM应力作用下的计算复杂度, 可以更加简便地从统计学上预测MOS管栅氧击穿的发生, 给HBM冲击作用下MOS管栅氧化层可靠性的评估提供参考。 相似文献