基于氩等离子处理的阻变氧空位调控探讨

以氩气等离子处理为优化工艺,通过其对ZnO阻变薄膜中氧空位缺陷的影响,来改进ZnO薄膜阻变特性。等离子处理范围减小和处理时间延长有助于阻变特性的稳定,以及阻变工作电压的降低。为了降低阻变工作电压及抑制随机性,最终确定的等离子处理条件是时间不超过45 min,处理范围介于0.8 mm×0.8 mm和0.9 mm×0.9 mm之间。主要的阻变工作电压均在3 V以下,适合低功耗器件应用。并结合处理条件和表面粗糙度等测试结果进行了讨论。