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1.
研究了正规化解析函数H的子类M(α,A,B)的Fekete-Szeg不等式,对于任意的f(z)=z+α2z2+α3z3+M(α,A,B)及任意的复参数u,应用解析函数的基本不等式和分析技巧,得到了23 2aa的精确上界,推广了一些已有的结果 . 相似文献
2.
3.
介绍增强现实( AR)技术的概念和产生背景,分析增强现实系统的主要技术特点和其在国内外的部分应用现状,并对增强现实技术的发展进行展望。 相似文献
4.
引入了一个与算子 有关的解析函数类 ,利用函数的极值和单调性,讨论了此函数类的 不等式.假设 , 为复数,则有
,
,且对所有的 等号都成立. 当参数 取一些特殊值时,得到一些特殊函数类的 不等式. 相似文献
5.
研究了正规化解析函数H的子类B(λ,α,A,B,σ)的Fekete-Szeg不等式,对于任意的f(z)=z+a2z2+a3z3+…∈B(λ,α,A,B,σ)及任意的复参数u,应用解析函数的基本不等式和分析技巧,得到了M1(α,λ,A,B)的精确上界。 相似文献
6.
7.
8.
研究了正规化解析函数类H的子类N(β,λ,α)的Fekete-Szeg不等式,对于任意的f(z)=z+a2z2+a3z3+…∈N(β,λ,α)及任意的复参数μ,应用解析函数的基本不等式和分析技巧,得到了a3-μa22的精确上界。 相似文献
9.
关于解析函数类的Fekete-Szego问题 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了正规化解析函数类H的子类B(a,b,c)的Fekete-Szego不等式,所得结果推广了一些作者的相关结果. 相似文献
10.
对喷射条件下的电子芯片在FC-72中的流动沸腾换热进行了研究,并和同工况下的光滑芯片作了对比.实验选取的工况如下:过冷度为25、35℃;横流速度Vc为0.5、1、1.5m/s;喷射速度Vj为0、1、2m/s.实验采用的硅片尺寸为10mm×10mm×0.5mm,通过干腐蚀技术在其表面加工出30μm×120μm、50μm×120μm的方柱微结构.实验表明,所有芯片的换热性能都随过冷度和流速的增加而提高,方柱微结构能明显地强化芯片换热,而射流冲击进一步提高了芯片在高热流密度下的换热性能.同一横流速度下,喷射速度越大,换热性能越好,尤其是Vc=0.5m/s、Vj=2m/s时,强化效果最显著.随着横流速度的增加,射流冲击的强化效果减弱,临界热流密度值增幅减小. 相似文献