多模态人-机交互技术及其应用

本文对多模态人机交互技术从语音、唇读、人脸、人体动作四个方面进行研究,多模态人-机交互实际上是人与人之间自然交互的模拟,它的目标是将人与人之间的交互方式移植到人与计算机的交互中,旨在促进自然便捷的人-机交互,减少人-机隔阂,营造和谐的人-机环境。     

高职院校校园文化建设探究

高职院校自20世纪80年代以来迅速发展,占据了我国高等教育的半壁江山,为社会输送大量高等技能型人才。高职院校校园文化建设对高职院校的发展意义重大,加强校园文化建设是高职院校作为社会文化机构的使命体现,同时也有利于增强高职院校凝聚力、提高人才培养质量。     

浅谈职校《电工基础》教学

《电工基础》是职业院校电类专业实践性较强的基础课程。本文从《电工基础》教学语言的使用原则、培养学生学习习惯、加强与中学物理的有机衔接以及灵活有效的提问四个方面探讨电工基础教学方法，从而提高学生学习兴趣。尽快掌握高技能人才必备的电主知识和技能，为后续课程的学习打下坚实基础。     

粉末溅射制备N-In共掺p型ZnO薄膜

在石英玻璃衬底上以ZnO∶ In2O3粉末为靶材,采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO∶ In薄膜,继而对样品进行二次N离子注入掺杂,成功实现N-In共掺p型ZnO薄膜.借助XRD、Hall测试、XPS和透射谱测试手段研究分析了共掺ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性质.结果表明制备的薄膜具有较高的结晶质量和较好的电学性能,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别达到4.04×1018 cm-3、1.35 cm2V-1s-1和1.15 Ωcm.X光电子能谱(XPS)分析显示在p型ZnO薄膜里存在N-In键和N-Zn键,表明In掺杂可以促进N在ZnO薄膜的固溶,有利于N元素在ZnO薄膜内形成受主能级.另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内有很高的透射率,最高可达90%.其常温下的禁带宽度为3.2 eV,相对本征ZnO的禁带宽度略有减小.     

ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展

目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述。     

高职院校应用电子技术专业教学改革浅析

本文重点对应用电子技术专业实施一体化模块式教学进行介绍,如何进行模块式教学的转换,对能影响一体化模块式教学成功转换的诸多因素,如模块的设置、教师配备、教材选用,技能训练场所等方面进行了介绍。     

p型ZnO:Mn-N薄膜的制备及特性研究

用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的ZnO: Mn薄膜,继而进行N离子注入和退火处理,成功实现了ZnO薄膜的Mn-N两步法共掺杂和p型转变.利用X射线衍射(XRD)、Hall测试、分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)等测试手段对其性能进行了分析.结果表明:所测样品均具有单一的c轴择优取向,薄膜在退火后没有检测到其它杂质相的生成;薄膜在650 ℃经10～30 min退火时均可实现p型转变,空穴浓度可达1016～1017cm-3,表明650℃可能为ZnO: Mn-N体系中N离子达到电激活成为有效受主的温度;XPS能谱证明了Mn2+、N3-离子的掺入;在热退火作用下,部分间隙位N离子达到电激活通过扩散进入O空位,形成N-Zn或N-Mn键,是样品转变为p型的依据; p型ZnO: Mn-N薄膜室温下的禁带宽度为3.16 eV,相对未掺杂ZnO的禁带宽度3.29 eV明显减小.     

高等职业院校"三联动、渐进式"实践教学体系研究

高职教育内涵的核心是高等职业教育实践教学体系,该体系决定了高职教育的特征以及人才培养目标的实现.该文采用"三联动、渐进式"实践教学体系,从体系内涵、构建原则和主要特征三方面对高职教育实践教学进行分析研究.     

P型ZnO薄膜的制备及特性研究

ZnO是一种新型的自激活宽带隙半导体材料,是一种理想的短波长发光器件材料,在光电子、高温大功率器件、高频微波器件以及信息技术领域等方面有着广阔的应用前景,实现和控制高质量P型掺杂是ZnO薄膜光电子应用的关键。本文用射频磁控溅射技术,在直径为100 mm的单晶Si(110)衬底上制备ZnO薄膜,薄膜厚度为1.8μm。用多功能离子注入机对ZnO薄膜进行N离子注入。通过退火实现了ZnO薄膜的P型转变。扫描电镜(SEM)观察表明,离子注入使薄膜表面形貌产生损伤和缺陷,粗糙度明显增加,但退火对表面形貌有很大改善。X射线衍射(XRD)给出样品具有对应于ZnO(002)面的衍射峰,表明薄膜具有较好的c轴择优取向。在不同温度下(500℃,650℃,800℃,900℃,950℃),