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| ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展 | |
| 引用本文： | 南貌,吕小龙.ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展[J].科技信息,2011(35):183-183,234. |
| 作者姓名： | 南貌 吕小龙 |
| 作者单位： | [1]宝鸡职业技术学院电子信息工程系,陕西宝鸡721013 [2]宝鸡技师学院,陕西宝鸡721000 |
| 摘 要： | 目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述。 |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 过渡金属 稀磁半导体 掺杂 |
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